污染控制
可靠高效缺陷和污染控制对生产线收成至关重要Bruker为此项任务提供解决方案
污染控制
微量金属沾染对半导体设备制造日益引起关注污染对先进技术节点尤为重要微量金属表面影响半导体设备性能和产品多方式生成高温处理步骤期间,表层金属可扩散成硅基质,并起重组中心作用,并降低少数载量寿命面上的金属还可能对硅氧化率产生不利影响并归入门氧化物并分解氧化物完整性表面微量金属沾染是设备制造中关键一步
TXRF污染控制
反射X射线流频计算法标准线内半导体表面微量金属分析JVX7300F-CTXRF快速非损耗性内联全自动化测量工具允许fab技术员收集关键污染测量数据软件还允许重分析已获取数据
TXRF中X光束指向微博表面滑角事件glance角选择允许事件X射线完全内部反射,提高素材的振荡度,仅在raffer表面事件X射线能选择激发某些元素X射线从表面污染中释放受污染物种释放的X射线有特征能量分量元素允许量化受污染物或微量金属X射线荧光过程对动波无损,测量大小由固态检测器几何大小定义
收集临界污染度量数据
反射X射线流体分析标准监测计量法JVX7300F-CTXRF快速、非损耗性、内联和完全自动化测量工具允许fab技术员收集关键污染测量数据软件还允许重分析已获取数据
