硅的质量控制
。
如果质量控制
硅的质量控制
元素杂质和晶格的中断产生深远对硅的光学和电学性质的影响。因此关于外国污染和水质监测,Si-crystalites大小是一个关键的任务。红外光谱和micro-XRF是理想的分析工具来可视化大缺陷和结晶等材料。雷竞技网页版
傅立叶变换红外光谱应用实例
傅立叶变换红外光谱解硅质量控制
一系列的材料可以调查包括硅QC特别雷竞技网页版是解决方案根据ASTM /半MF标准。
- 室温下为工业生产的硅碳和氧量化
- 确定浅杂质(B、P等),显著影响硅的电特性
- 低温近红外光谱光致发光的量化浅杂质与无与伦比的敏感性
CryoSAS:
低温硅分析系统对低温硅杂质分析
SiBrickScan:
行硅锭分析仪SiBrickScan量化为氧气
INVENIO和顶点:
下一代傅立叶变换红外光谱仪与高灵活性
室温下碳和氧在硅量化
红外光谱分析硅碳和氧的快速、敏感、破坏自由,因此被广泛接受的如果质量控制方法。
力量已经几十年的经验在这个领域,基于顶点系列我们提供最强大的和最新的解决方案。
- 室温量化的置换碳Si根据ASTM /半MF1391
- 室温量化间隙氧的Si根据ASTM /半MF1188
- 可实现的检测限制< 400 ppba
- 推荐样本属性:厚度0.5 - 2.5毫米,双面抛光,单晶或多晶
低温对QC硅光致发光
低温NIR photo-luminescence (PL)使量化浅杂质(如。B、P)在单晶硅,根据ASTM /半MFI1389。
结合无与伦比的敏感性的顶点80红外光谱分光计和低温恒温器和专用的Si photo-luminescence模块,检测极限小于1项目前期技术援助是可以实现的。
- B、P和Al量化在根据ASTM /半MFI1389单晶硅
- PL Trichlorsilane (TCS)质量控制的外延硅层从TCS通过CVD沉积
- 各种选项,如低温恒温器自动化、专用软件如果QC光致发光,校准样品和2额外的激励激光
Micro-XRF应用实例
应用实例
使用能量色散micro-XRF快水晶域映射
在能量色散光谱仪,布喇格衍射峰是通常被认为是一个让人头疼的工件干扰荧光信息。然而,这些布拉格峰,因为它们是相关的晶体取向,提供额外的信息样本的性质。在这里,我们描述如何M4龙卷风可以利用可视化晶体领域。这些信息对评估的质量是至关重要的单晶和多晶材料的属性。雷竞技网页版这一原则可以用来识别sub-grain错位在单晶以及微晶尺寸multi-crystalline样本。
读这个相关的出版物:
