茎im REM-Funktionen麻省理工学院integriertem ARGUS Bildgebungssystem
ARGUS der allsehende mythische Riese坚持选择
是不是盛Vorganger欧什derOPTIMUS 2麻省理工学院-Detektorkopf integriertem百眼巨人tm系统entwickelt,嗯STEM-Bildgebungsfunktionen REM祖茂堂ermoglichen化生。军队drei Si-Dioden一个der Vorderkante和静脉Si-Diode在der米des Bildschirms bietet OPTIMUS 2:
- Dunkelfeld-ahnliche Bildgebung
- 在TKD-Mapping-Position Hellfeld-ahnliche Bildgebung
- Bildgebung麻省理工学院Geschwindigkeiten冯bis祖茂堂125.000 Pixeln /克朗。
- Vollautomatische Signaloptimierung苏珥Erstellung冯Bildern麻省理工学院unubertroffener Qualitat Detailtreue
死neue Hellfeld-ahnliche Bildgebungsfunktion eignet西奇感兴趣毛死Driftkorrektur在内的des映射和毛皮死nahezu Echtzeit-Visualisierung冯Proben贝dynamischen Experimenten她In-situ-Zugversuche, Heiz——和elektrischer Biasing-Experimente一个elektronentransparenten Proben。
2、读取8 m像素Dunkelfeld-ahnliches《图片报》(链接)和vergroßerte Ansicht des markierten德国进行20 nm Goldfilms der静脉汪汪汪amorphen Si3N4-Membran abgeschieden,。Es信德的军队Gluhen entstandene Zwillinge kleiner als 10 nm向。Das《图片报》,66年Sekunden麻省理工学院einem Strahlstrom冯800 pA和静脉Beschleunigungsspannung冯30 kV的成员。斯卡拉im Hauptbild是400海里;斯卡拉在Detailansicht stellt 50 nm dar。
Dunkelfeld-ahnliche & Hellfeld-ahnliche Aufnahmen verschiedener Materialien
Hellfeld-ahnliches《图片报》进行Ru-Dunnfilms,成员在3 s麻省理工学院1 nm Schrittweite einem Strahlstrom冯400 pA和静脉Beschleunigungsspannung冯30千伏
Ultrahochauflosendes Hellfeld-ahnliches《图片报》进行Ru-Dunnfilms,麻省理工学院的成员在3 s 0 5 nm Schrittweite einem Strahlstrom冯400 pA和静脉Beschleunigungsspannung冯30千伏
Dunkelfeld-ahnliches《图片报》进行Ru-Dunnfilms,成员在3 s麻省理工学院1 nm Schrittweite einem Strahlstrom冯800 pA和静脉Beschleunigungsspannung冯30千伏
读取4 m像素,Hellfeld-ahnliches Aufsichtsbild进行Ge-Sb-Te(销售税)Dunnfilms,汪汪汪einem TEM-Gitter麻省理工学院Siliziumnitrid-Stutzfolie。Das《图片报》,麻省理工学院在2分钟5 nm Schrittweite einem Strahlstrom·冯·2 nA和静脉Beschleunigungsspannung冯30 kV的成员。探针麻省理工学院的弗伦德里希Genehmigung·冯·亚伦Lindenberg教授和围网渔船Gruppe der窝在美国斯坦福大学。
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Hellfeld-ahnliches《图片报》进行Ru-Dunnfilms,成员在8 s麻省理工学院1 nm Schrittweite einem Strahlstrom冯700 pA和静脉Beschleunigungsspannung冯30千伏
Hellfeld-ahnliches《图片报》进行Ru-Dunnfilms,成员在8年代mit 0 5 nm Schrittweite einem Strahlstrom冯700 pA和静脉Beschleunigungsspannung冯30千伏
Dunkelfeld-ahnliches《图片报》进行Ru-Dunnfilms,成员在8 s麻省理工学院1 nm Schrittweite einem Strahlstrom冯700 pA和静脉Beschleunigungsspannung冯30千伏
Dunkelfeld-ahnliches《图片报》进行Ru-Dunnfilms,成员在8年代mit 0 5 nm Schrittweite einem Strahlstrom冯700 pA和静脉Beschleunigungsspannung冯30千伏
Dunkelfeld-ahnliches Aufschtsbild进行Pt-Dunnfilms, der auf Si-Wafersubstrat abgeschieden和麻省理工学院der Dimpling-Methode gedunnt,。Das在14年代《图片报》,麻省理工学院2 nm Schrittweite einem Strahlstrom冯·1 7 nA和静脉Beschleunigungsspannung冯30 kV的成员。十分感谢Herrn沃尔夫冈Grunewald博士/莱卡Microsystems苏珥Vorbereitung / Dunnung der TKD-Probe。