高分辨率的半导体结构的映射中使用STEM-EDS SEM (T-SEM)

半导体纳米结构元素分布的映射与基于x射线方法并不总是直截了当。纳米尺度的空间分辨率的需要和x射线峰值重叠时共同挑战调查半导体材料。雷竞技网页版扫描电镜在传输模式(T-SEM)有时可以代替昂贵的TEM。目前的示例显示了一个高分辨率EDS半导体结构的地图在扫描电镜使用一个环形XFlash^®FlatQUADEDS检测器4 SDD象限安排与试样之间的径向对称和SEM极片。地图在收购20 kV和220 pA电子束电流。XFlash的高灵敏度^®FlatQUAD探测器允许实现比10纳米空间分辨率在SEM(见图2)。尽管强烈重叠的x射线峰值、硅(Si)和钨(W)可以在地图由于杰出的峰值反褶积模型实现的力量思捷环球软件(见图1)。