在静脉Quantifizierung der Pt-Konzentration非绝对的-NiSi2-Halbleiterstruktur (Pt)

这本Anwendungsbeispiel zeigt EDS-Daten苏珥分析des epitaktischen Wachstums静脉麻省理工学院Pt legierten NiSi-Dunnschicht和der entsprechenden Pt-Konzentration冯wenigen %。非绝对的将毛皮nm-große Metallisierungsstrukturen在Halbleiterbauteilen是不是mosfet verwendet。死Legierung·冯·非绝对的麻省理工学院Pt将苏珥Stabilisierung des metallischen非绝对的贝erhohten Temperaturen angewandt,恩祖verhindern dass西奇在非绝对的死elektrisch阿leitende非绝对的₂步umwandelt。Pt是在非绝对的loslich,民主党es倪substituiert,永远在非绝对的河口₂。

倪和Pt wurden mittels磁控溅射HF-gereinigte汪汪汪(001)-Si-Wafern abgeschieden。死门格des冯einem einzelnen Pt-Target gesputterten Pt,所以optimiert dass努尔wenige在% auf der Wafer-Oberflache abgeschieden了。死的_x(Pt) -Schicht假日,在Stickstoff-Atmosphare 30年代朗贝700°C ausgeheizt是苏珥Ausbildung进行Gemischs·冯·非绝对的和非绝对的₂-Kristalliten fuhrte。Das dichtere非绝对的erscheint im Ordnungszahl - (Z) -Kontrast des HAADF-Bildes海勒als Das非绝对的₂。死在der Pt-Konzentration探针是麻省理工学院的鳗鱼施沃祖quantifizieren哒死Platin-Kante flach„einsetzt verspatet”。

Im hyperspektralen EDS-Elementverteilungsbild EDS-HyperMap jedoch,韦尔奇innerhalb冯sieben Minuten成员和麻省民主党HAADF-Bild uberlagert, lasst西奇Pt•莱克特说quantifizieren。毛死EDS-Datenaufnahme,静脉SDD麻省理工学院einem Raumwinkel·冯·0,12 sr和einem Abnahmewinkel冯22°的einem konventionellen阻止benutzt。在非绝对的死Quantifizierung des Pt-Gehalts unt Verwendung theoretischer Cliff-Lorimer-Faktoren liefert死erwartete Pt-Konzentration冯在% 2±1。死是im quantifizierten Elementverteilungsbild和im Linienprofil祖茂堂erkennen。Beide请,Pt mehr只是他gleichmaßig麻省理工学院2 % im NiSi-Bereich verteilt坚持。