wafer级打包

图层分析

EDS微XRF

EDS和Micro-XRF

EDS系统微xRF不仅能判定薄金属薄膜组成,还可用于计算这些层的涂层厚度电子推理和光子推理使用不同模型微XRF甚至可免标准使用,使用基础参数法计算多层栈厚度

红外线谱及相关技术

被动图层分析FT-IR

半导体钝化层发挥重要作用并发挥例如作用保护电子隔离或反射层BrukerFT-IR研究分光计是快速、敏感和非损耗分析这些消能层的理想工具

  • 单片和光片玻璃和波片片片玻璃量化
  • sin等离子层和SilconOxide消能层分析
  • 超低k层调查

FT-IR光谱仪能以最高精度判定半导体层结构层厚度程序基于对调查层生成干扰的评估,可应用到厚度小于1微米至数毫米的层

Ping集中和Wafer通过FT-IR映射

点播集中

FT-IR光谱分析通过自由载波红外交互作用也有助于确定有意涂半导体和半导体层的用量集中高用药富集度常通过反射光谱实现,应用基于马克斯韦方程的专门评价软件

瓦斐映射

布吕克研究FT-IR光谱仪可测量瓦斐斯,配有专用瓦斐映射配件反射光谱可自动记录不同样本位置,并伴之以层厚评价、多层量化分析