原子柱EDS分析

半导体的性质是由它在原子水平上的结构决定的，例如点缺陷。使用尽可能高分辨率的EDS绘图，可以定位和描述这种缺陷。

此应用程序示例查看由朱文伟(m.w.b Chu et. al.， Phys.)提供和发布的数据。Rev. Lett. 104, 196101 (2010)，https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.104.196101)．研究的是由交替层的InGaAs和InAlAs组成的多层结构。仅使用3 ms的停留时间(13 s的总测量时间)和33 pA的束流电流，就可以确定InGaAs结构的一个原子柱中的In成分变化。In图右下角的蓝色缺失可以看出In的缺失，这也导致HAAD线配置文件中InGa列较低。