AFM模式

DataCube模式

在每个像素多维纳米级信息

Nanoelectrical特征的完整的解决方案

DataCube模式扩展功能,如PeakForce金枪鱼PeakForce KPFM,通过启用多维数据立方体的收购。对于材料雷竞技网页版科学家和工程师,这打破了长期效率和表征的障碍。这些新功能提供同步捕获纳米机电特性在高密度数据立方体,以前不可能实现在一个单一的测量。

相关的多维电子能谱

维XR DataCube模式提供多维纳米级信息在每一个像素,同时捕获在一个测量电气和机械特性。

DataCube模式使用FASTForce体积在每个像素执行force-distance谱,一个用户定义的“停留时间”。使用数据捕获率高,大量的电子测量在停留时间执行,导致机电在每个像素光谱。典型force-distance光谱,测量速度斜坡40 Hz的每像素100 ms的停留时间,提供完整的描述在一个实验中,在商业AFM是闻所未闻的。它不再是一个史诗般的实验同时渲染地形,机械,和多维电子信息。现在这些数据可以作为常规AFM测量来实现。DataCube模式呈现多维数据立方体在纳米尺度复合数据在每一个扫描。这种能力使一个强大的一系列新模式。

DataCube-TUNA (DCUBE-TUNA)

导电AFM结果受到样本应用电压的影响,描述材料或设备的重要性能转换。DCUBE-TUNA使同步采集信息和导电性纳米机械的大量样本电压在一个单一的测量,构建一个密集的数据样本信息的多维数据集。这是唯一的模式提供了一个完整的样品电导率,电导率等细节类型(非欧姆电阻,肖特基等),和势垒高度。

当前图像收集磁赤铁矿(γ-Fe2O3),同时增加样例2 v + 2 v的电压每个像素。不同的谷物有不同的传导机制,强调通过查看数据作为“切片”席卷电压。

DataCube-SCM (DCUBE-SCM)

扫描电容显微术(SCM)提供一种方法直接测量的活性载体浓度与纳米级精度。DCUBE-SCM允许同时收购纳米机械和航空公司信息在大量的样本电压在一个单一的测量。这项技术提供了一个独特的解决方案观察dC / dV振幅和直流/ dV相位值变化和结位置变化。研究员通过结果数据立方体,可以观察到额外的信息在氧化厚度、氧化指控,阈值电压,从移动离子污染,界面陷阱密度。

片通过直流/ dV振幅2 v的电压增加到2 v时,显示pnp型结剖面与电压变化。数据由n骑士& d Mariolle U格勒诺布尔阿尔卑斯,东航,LETI、法国。
直流/ dV振幅图像收集两个相邻pnp晶体管在SRAM内存增加样本从2 v + 2 v电压。压敏电阻器pn结位置对应于预期的行为。仅在特定电压可见一些掺杂剂的缺陷。扫描大小3 x3嗯。数据由n .骑士和d . Mariolle大学。法国格勒诺布尔阿尔卑斯,东航,LETI。

DataCube-PFM (DCUBE-PFM)

Piezoresponse (Piezoforce)显微镜(PFM)技术映射的逆压电效应在纳米样本规模。DCUBE-PFM使纳米机械信息的同步采集和PFM幅度/相位谱数据立方体,这揭示了每个域的转换电压在一个数据集。此外,DCUBE-PFM克服工件,样品损坏,和数据分析的复杂性与传统有关联系方式方法。

DCUBE-PFM高度和烤瓷图像(左)和光谱图(右)沿着一条长1.2µm线跨越多个域的拍频振荡器ferro-electric样本。故事情节既有烤瓷振幅和烤瓷阶段与偏见在坡道从6 v 0 v。切换电压可以提取为每个单独的域。

DataCube-CR-PFM (DCUBE-CR-PFM)

DCUBE piezoresponse (piezoforce)显微镜结合接触共振提供的好处DCUBE-PFM的好处提供每个像素的频率增加,提供完整的光谱和共振峰灵敏度的联系。

DCUBE-CR-PFM LiTaO3样本上收集的数据显示地形,烤瓷振幅在接触共振(CR)、烤瓷阶段和CR峰的数量(零当材料不显示压电响应)。烤瓷振幅和相位和频率谱,和相应的力谱显示几个像素。

DataCube-SSRM (DCUBE-SSRM)

扫描扩散阻力显微镜(SSRM)用于地图掺杂半导体的多数载流子浓度的变化。DCUBE-SSRM使纳米机械信息的同步采集和3 d载体密度映射在一个单一的测量。结果数据立方体提供完整的描述包括纳米地形、机械和log-resistance光谱信息。此外,电流-电压测量显示电导率是否欧姆,非欧姆,肖特基,或其他。

形象系列在这里表明DataCube SSRM维度上图标XR帮助制定组件分布和揭示极端的粒子,粒子变异。可用的模图在DataCube模式明显区分的硬金属氧化物粒子周围软粘结剂,而同时获得导电性地图揭示了炭黑的不均匀分布。粒子图像的顶部边缘被认为不受炭黑和一系列的电导率图像提取数据立方体标识这个粒子一样死即不活跃在整个范围的操作电压。

DataCube-sMIM (DCUBE-sMIM)

扫描微波显微镜成像(sMIM)提供了地图的电容(C)和电阻(R)阻抗的一部分,以及直流/ dV,博士/ dV数据——在一个用户定义的示例电压。与DCUBE-sMIM可以获得相同的属性在不同的样本电压,在一个单一的扫描,得到“全貌”。光谱也显示额外的信息,如导电型(非欧姆电阻,肖特基等),氧化层厚度、氧化指控,从移动离子污染,界面陷阱密度。

力和时间,电容(sMIM-C)与时间的情节与相反的掺杂剂2像素类型。典型的s形C-V曲线,获得了在100年女士住时间,可见n型和p型。图像显示“片”在3种不同的样本电压DataCube与双楼梯如果样本配置文件(见样本描述:DOI: 10.1016 / j.microrel.2014.07.024,英飞凌慕尼黑)。在不同的电压,对比和n型和p型地区的敏感性不同。