FilmTek 2000 PARgydF4y2Ba
图案晶圆的微点DUV-NIR光谱反射法gydF4y2Ba
突出了gydF4y2Ba
FilmTek 2000 PARgydF4y2Ba
FilmTek™2000 PAR台式光谱反射计是一种经济的解决方案，用于研发和生产环境中高通量，全自动绘图的图案化晶圆。它专为解决硅半导体，LED/OLED和数据存储中广泛的基于晶圆的技术应用而设计。gydF4y2Ba
在FilmTek 2000专有的DUV-NIR光谱反射技术的基础上，FilmTek 2000 PAR集成了自动化晶圆处理，模式识别和基于抛物面镜的专利微点测量功能(50微米标准，低至13微米)。该系统提供一流的图像化晶圆测量，即使在具有挑战性的样品上，也比同类反射计更高效，直观，对局部非均匀性更敏感。gydF4y2Ba
FilmTek 2000 PAR的完全集成的先进材料建模软件支持内置标准和用户定义的晶圆图模式，提供任何测量参数的2D和3D数据图的快速生成。可选的康耐视模式识别，卡式到卡式晶圆处理和SECS/GEM兼容性可以添加，以进一步优化系统的测量能力和性能，以满足您的特定应用。gydF4y2Ba
Wafer-mappinggydF4y2Ba
硬件配置gydF4y2Ba
为研发和生产过程中的晶圆表征提供针对性的、一流的解决方案。gydF4y2Ba
Micro-spotgydF4y2Ba
parabolic-mirror-based测量gydF4y2Ba
提供对样品局部非均匀性高度敏感的相干反射数据。gydF4y2Ba
高通量gydF4y2Ba
全自动操作gydF4y2Ba
实现更快、更高效的晶圆映射。gydF4y2Ba
了解更多关于这个乐器的信息。gydF4y2Ba
联系我们gydF4y2Ba
特性gydF4y2Ba
测量功能gydF4y2Ba
能够同时测定:gydF4y2Ba
- 多层厚度gydF4y2Ba
- 折射率[n(λ)]gydF4y2Ba
- 消光(吸收)系数[k(λ)]gydF4y2Ba
- 能带隙[E]gydF4y2BaggydF4y2Ba］gydF4y2Ba
- 成分(例如，SiGe中的%Ge)gydF4y2BaxgydF4y2Ba， Ga中的% GagydF4y2BaxgydF4y2Ba在gydF4y2Ba1gydF4y2Ba-gydF4y2BaxgydF4y2BaAs， %Al in AlgydF4y2BaxgydF4y2Ba遗传算法gydF4y2Ba1 - xgydF4y2Ba,等等)。gydF4y2Ba
- 表面粗糙度gydF4y2Ba
- 成分，空隙率gydF4y2Ba
- 结晶度/非晶化(如Poly-Si, GeSbTe薄膜)gydF4y2Ba
- 电影梯度gydF4y2Ba
系统组件gydF4y2Ba
标准:gydF4y2Ba
- DUV-NIR光纤分光光度计gydF4y2Ba
- 光谱反射测量gydF4y2Ba
- 专利抛物面镜技术gydF4y2Ba
- 自动舞台与自动对焦gydF4y2Ba
- 自动晶圆处理gydF4y2Ba
- 摄像机用于成像测量位置gydF4y2Ba
- 模式识别gydF4y2Ba
- 50微米光斑尺寸(标准)gydF4y2Ba
- 先进的材料建模软件gydF4y2Ba
- 采用先进全局优化算法的布鲁克广义材料模型gydF4y2Ba
可选:gydF4y2Ba
- 光斑尺寸小(13µm)gydF4y2Ba
- 模式识别(康耐视)gydF4y2Ba
- 盒式到盒式的晶圆处理gydF4y2Ba
- 秒/宝石兼容性gydF4y2Ba
应用程序gydF4y2Ba
典型应用领域gydF4y2Ba
几乎所有厚度从小于100 Å到大约150µm的半透明薄膜都可以高精度测量。典型应用领域包括:gydF4y2Ba
- 半导体和电介质gydF4y2Ba
- 数据存储gydF4y2Ba
- 领导/ OLEDgydF4y2Ba
灵活的硬件和软件，可以很容易地修改，以满足独特的客户要求，在研发和生产环境。gydF4y2Ba
规范gydF4y2Ba
技术规格gydF4y2Ba
| 薄膜厚度范围gydF4y2Ba | 3 nm ~ 150µmgydF4y2Ba |
|---|---|
| 薄膜厚度精度gydF4y2Ba | ±1.5 Å适用于NIST可追溯标准氧化物1000 Å至1µmgydF4y2Ba |
| 光谱范围gydF4y2Ba | 190nm - 1700nm (240nm - 1000nm为标准)gydF4y2Ba |
| 测点尺寸gydF4y2Ba | 13µm - 300µm(50µm为标准)gydF4y2Ba |
| 晶片大小gydF4y2Ba | 50mm - 300mm (150mm标准)gydF4y2Ba |
| 光谱分辨率gydF4y2Ba | 0.3 - 2 nmgydF4y2Ba |
| 光源gydF4y2Ba | 可调氘卤素灯(寿命2000小时)gydF4y2Ba |
| 探测器类型gydF4y2Ba | 2048像素索尼线性CCD阵列/ 512像素冷却滨松InGaAs CCD阵列(近红外)gydF4y2Ba |
| 电脑gydF4y2Ba | 多核处理器与Windows™10操作系统gydF4y2Ba |
| 测量时间gydF4y2Ba | <1 SEC每个位点(例如，氧化膜)gydF4y2Ba |
| 数据采集时间gydF4y2Ba | 0.2秒gydF4y2Ba |
性能规格gydF4y2Ba
| 电影(年代)gydF4y2Ba | 厚度gydF4y2Ba | 测量参数gydF4y2Ba | 精度(gydF4y2Ba1σgydF4y2Ba）gydF4y2Ba |
|---|---|---|---|
| 氧化物/硅gydF4y2Ba | 200 - 500 ÅgydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.5gydF4y2Ba |
| 500 - 10000 ÅgydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.25gydF4y2Ba | |
| 1000年,一个gydF4y2Ba | T, ngydF4y2Ba | 0.25 Å / 0.001gydF4y2Ba | |
| 氮化物/ SigydF4y2Ba | 200 - 10000 ÅgydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.25gydF4y2Ba |
| 光刻胶/ SigydF4y2Ba | 200 - 10000 ÅgydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.5gydF4y2Ba |
| a-Si /氧化物/ SigydF4y2Ba | 200 - 10000 ÅgydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.5gydF4y2Ba |