FilmTek 2000gydF4y2Ba
预算友好的DUV-NIR光谱反射gydF4y2Ba
突出了gydF4y2Ba
FilmTek 2000gydF4y2Ba
FilmTek™2000全自动台式光谱反射率仪可以快速、可靠、准确地测量几乎任何5 nm - 150 μ m厚的无图版薄膜的层厚和光学特性，拥有成本远低于竞争对手的自动化台式反射率系统。gydF4y2Ba
以我们最流线型的光谱反射计设计为特色，FilmTek 2000结合了DUV-NIR光纤分光光度计，自动化工作台，计算机和先进的FilmTek软件，以确保直观的操作和容易获得关于样品性质的可靠信息。FilmTek 2000的标准配置平衡了便利性、可靠性和速度，同时实现了完全自动化，目标参数的2D和3D地图，并在每个测量点不到1秒的时间内同时确定多个薄膜特性。gydF4y2Ba
流线型的gydF4y2Ba
台式反射系统gydF4y2Ba
提供FilmTek特有的一流自动化和性能。gydF4y2Ba
直观的gydF4y2Ba
软硬件集成gydF4y2Ba
提供易于使用和可重复的测量，无论操作员的经验水平。gydF4y2Ba
价格适宜的gydF4y2Ba
基本模型配置gydF4y2Ba
支持更低的拥有成本，而不会影响数据质量或应用程序的广度。gydF4y2Ba
了解更多关于这个乐器的知识。gydF4y2Ba
联系我们gydF4y2Ba
特性gydF4y2Ba
测量功能gydF4y2Ba
可同时测定:gydF4y2Ba
- 多层厚度gydF4y2Ba
- 折射率[n(λ)]gydF4y2Ba
- 消光(吸收)系数[k(λ)]gydF4y2Ba
- 能带隙[EgydF4y2BaggydF4y2Ba］gydF4y2Ba
- 组成(例如，SiGe中的%GegydF4y2BaxgydF4y2Ba， % Ga in GagydF4y2BaxgydF4y2Ba在gydF4y2Ba1gydF4y2Ba-gydF4y2BaxgydF4y2BaAs, Al中的%AlgydF4y2BaxgydF4y2Ba遗传算法gydF4y2Ba1 - xgydF4y2Ba,等等)。gydF4y2Ba
- 表面粗糙度gydF4y2Ba
- 组分，空隙分数gydF4y2Ba
- 结晶度/非晶化(如Poly-Si, GeSbTe薄膜)gydF4y2Ba
- 电影梯度gydF4y2Ba
系统组件gydF4y2Ba
标准:gydF4y2Ba
- DUV-NIR光纤分光光度计gydF4y2Ba
- 光谱反射测量gydF4y2Ba
- 自动化阶段gydF4y2Ba
- 先进的材料建模软件gydF4y2Ba
- 布鲁克广义材料模型与先进的全局优化算法gydF4y2Ba
应用程序gydF4y2Ba
典型应用范围gydF4y2Ba
几乎所有厚度从小于100 Å到大约150µm的半透明薄膜都可以高精度测量。典型应用领域包括:gydF4y2Ba
- 化合物半导体gydF4y2Ba
- 领导/ OLEDgydF4y2Ba
- 太阳能光伏gydF4y2Ba
具有灵活的硬件和软件，可以轻松修改，以满足学术，研发和生产环境中独特的客户需求。gydF4y2Ba
规范gydF4y2Ba
技术规格gydF4y2Ba
| 薄膜厚度范围gydF4y2Ba | 5 nm至150µmgydF4y2Ba |
|---|---|
| 薄膜厚度精度gydF4y2Ba | ±1.5 Å用于NIST可追溯标准氧化物1000 Å至1µmgydF4y2Ba |
| 光谱范围gydF4y2Ba | 190纳米- 1700纳米(标准为240纳米- 1000纳米)gydF4y2Ba |
| 测量光斑大小gydF4y2Ba | 2毫米- 5毫米(5毫米标准)gydF4y2Ba |
| 样本大小gydF4y2Ba | 2毫米- 300毫米(标准为150毫米)gydF4y2Ba |
| 光谱分辨率gydF4y2Ba | 0.3 - 2 nmgydF4y2Ba |
| 光源gydF4y2Ba | 调节型氘卤灯(寿命2000小时)gydF4y2Ba |
| 探测器类型gydF4y2Ba | 2048像素Sony线阵/ 512像素冷却滨松InGaAs CCD阵列(近红外)gydF4y2Ba |
| 电脑gydF4y2Ba | 多核处理器，Windows™10操作系统gydF4y2Ba |
| 测量时间gydF4y2Ba | 每个部位<1秒(如氧化膜)gydF4y2Ba |
| 数据采集时间gydF4y2Ba | 0.2秒gydF4y2Ba |
性能规格gydF4y2Ba
| 电影(年代)gydF4y2Ba | 厚度gydF4y2Ba | 测量参数gydF4y2Ba | 精度(gydF4y2Ba1σgydF4y2Ba）gydF4y2Ba |
|---|---|---|---|
| 氧化物/硅gydF4y2Ba | 200 - 500 ÅgydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.5gydF4y2Ba |
| 500 - 10000 ÅgydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.25gydF4y2Ba | |
| 1000年,一个gydF4y2Ba | T, ngydF4y2Ba | 0.25 Å / 0.001gydF4y2Ba | |
| 氮化物/硅gydF4y2Ba | 200 - 10000 ÅgydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.25gydF4y2Ba |
| 光刻胶/硅gydF4y2Ba | 200 - 10000 ÅgydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.5gydF4y2Ba |
| a-Si /氧化物/ SigydF4y2Ba | 200 - 10000 ÅgydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.5gydF4y2Ba |