GaN on Si功率器件计量

硅基氮化镓功率器件既可以用阶梯缓冲器生长，也可以用最高级缓冲器生长，但两种类型的器件层是相同的。

阶梯式缓冲器用于低压器件，通常结构不太复杂。在这些缓冲层中，单个层的组成是必需的，可以通过HRXRD测量以及从摇摆曲线的宽度获得的质量来获得。

超晶格缓冲器更为复杂，并且已经开发用于更高电压的器件。它们由重复的双层AlGaN / GaN(或类似)层组成，HRXRD提供了超晶格周期和超晶格中AlGaN的平均成分。

无论缓冲层是什么，x射线测量所需的器件层参数是每层的厚度和AlGaN势垒层的组成。这些可以从x射线扫描的组合中发现。

一套完整的计量已经开发了氮化镓在硅上的应用。其中包括使用三轴扫描进行缓冲层分析，使用摆动曲线进行质量分析和超快速rsm(低至10秒)的组合，以及使用成分扫描进行结构的全面表征。