FilmTek 6000 PAR-SE
用于集成电路器件开发和制造的先进多模态薄膜计量
Lo más destacado
FilmTek 6000 PAR-SE
FilmTek™6000 PAR-SE先进的多模态薄膜测量系统提供生产验证的薄膜厚度，折射率和应力测量，适用于1x nm及以上设计节点的各种薄膜层。该系统可以在最新一代ic的生产过程中实现更严格的工艺控制，提高器件良率，并支持下一节点技术的发展。
制造1x纳米的先进IC器件需要使用高度均匀的复杂薄膜。计量工具可以监测非常薄的薄膜，通常在多层薄膜堆中(例如，高k和氧化氮氧化物薄膜)，使制造商能够严格控制薄膜制造过程。此外，一些工艺，如多图像化，会导致薄膜厚度的梯度，必须对其进行监测以获得最佳器件性能(例如，植入物损伤和低k薄膜)。不幸的是，现有的计量工具依赖于传统的椭偏或反射技术，在这些应用中检测薄膜梯度变化的能力有限。
为了克服这些挑战，FilmTek 6000 PAR-SE结合了光谱椭偏和DUV多角度偏振反射，具有宽光谱范围，以满足与多图像化和其他领先设备制造技术相关的需求。该系统采用了我们的多角度差分偏振法(MADP)和差分功率谱密度(DPSD)专利技术，可以独立测量薄膜厚度和折射率，大大提高了对薄膜变化的灵敏度，特别是在多层堆叠中。这种组合方法对于用于复杂器件结构的超薄和厚多层薄膜堆栈都是理想的。
1x nm节点
检验与计量
为领先的IC器件制造和生产挑战提供有针对性的高效解决方案。
可伸缩的
PAR-SE技术和配置
在200毫米和300毫米晶圆上提供业界领先的测量性能。
优化
复杂胶片监测
使均匀性和梯度厚度监测的极薄薄膜内的多层堆叠。
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Caracteristicas
测量功能
能够同时测定:
- 多层厚度
- 折射率[n(λ)]
- 消光(吸收)系数[k(λ)]
- 能带隙[Eg]
- 组成(如SiGex中的%Ge, gax1 - xas中的% Ga, AlxGa1-xAs中的%Al等)
- 表面粗糙度
- 成分，空隙率
- 结晶度/非晶化(如Poly-Si或GeSbTe薄膜)
- 电影梯度
系统组件
标准:
- 旋转补偿器设计的光谱椭偏仪(295 nm - 1700 nm)
- 多角度偏振光谱反射(190nm - 1700nm)
- 独立测量薄膜厚度和折射率
- 多角度差分偏振(MADP)技术，采用SCI专利的差分功率谱密度(DPSD)技术
- 非常适合测量超薄膜(0.03 Å在天然氧化物上的重复性)
- 获得专利的抛物面镜技术-在50×50µm范围内的小光斑尺寸测量
- 盒式到盒式的晶圆处理
- 模式识别(康耐视)
- 兼容fup或SMIF
- 秒/宝石
- 先进的材料建模软件
- 采用先进全局优化算法的布鲁克广义材料模型
Aplicaciones
典型应用领域
典型应用领域包括:
- 半导体集成电路器件
Especificaciones
技术规格
| 薄膜厚度范围 | 0 Å ~ 150µm |
|---|---|
| 薄膜厚度精度 | ±1.0 Å适用于NIST可追溯标准氧化物100 Å至1µm |
| 光谱范围 | 190 nm - 1700 nm(标准为220 nm - 1000 nm) |
| 测点尺寸 | 50µm |
| 样本大小 | 2毫米- 300毫米(150毫米标准) |
| 光谱分辨率 | 0.3 nm - 2nm |
| 光源 | 可调氘卤素灯(寿命2000小时) |
| 探测器类型 | 2048像素索尼线性CCD阵列/ 512像素冷却滨松InGaAs CCD阵列(近红外) |
| 电脑 | 多核处理器与Windows™10操作系统 |
| 测量时间 | ~ 2sec每个位点(如氧化膜) |
性能规格
| 电影(年代) | 厚度 | 测量参数 | 精度(1σ） |
|---|---|---|---|
| 氧化物/硅 | 0 - 1000 Å | t | 0.03 |
| 1000 - 50万Å | t | 0.005% | |
| 1000年,一个 | T, n | 0.2 Å / 0.0001 | |
| 15000年,一个 | T, n | 0.5 Å / 0.0001 | |
| 150.000 | T, n | 1.5 Å / 0.00001 | |
| 氮化物/ Si | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | T, n | 0.05% / 0.0005 | |
| 光刻胶/ Si | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | T, n | 0.05% / 0.0002 | |
| 多晶硅/氧化物/硅 | 200 - 10000 Å | t聚t氧化 | 0.2 Å / 0.1 Å |
| 500 - 10000 Å | t聚t氧化 | 0.2 Å / 0.0005 |