晶圆级封装

失效分析

失效分析

失效分析

失效分析是半导体材料生产控制中不可缺少的一部分。雷竞技网页版根据材料和应用的不同，失效分析可分为电气、化学和机械测试，以调查产品或材料失效的根本原因。

SEM /为解决方案

SEM /为解决方案

STEM中的定量EDS结合组件水平上的单个样品制备(FIB)提供了识别和研究半导体器件内部结构缺陷的手段。

应用实例

所选微处理器概述:M4 TORNADO获得的micro-XRF图。

微处理器线与EBSD键合的微观结构表征

球键合是一种线键合，通常用于半导体器件的电气互连。

互连结构的高角度环形暗场图像

半导体互连的化学成分

标准能量色散x射线能谱(EDS或EDX)在传统的扫描透射电子显微镜(STEM)上使用30mm2的探测器区域，可以在几分钟内提供纳米分辨率的元素映射。条件是，探测器头足够小(在细线设计中)，以尽可能接近(高实心角)标本和高于标本(高起飞角)。后者有助于避免阴影和吸收效应。

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用于材料研究中高端STEM的大收集角EDS探测器雷竞技网页版

用于透射电子显微镜的单个EDS探测器必须满足非常特定的几何约束。一个大的立体角收集x射线是不够的。高起飞角度，合适的准直器形状或极片覆盖和适应的样品架几何形状对于成功的EDS分析至关重要，并有助于保持阴影和系统峰值的检查。一个大的椭圆形探测器区域可以支持所有这些参数的优化在某些情况下。

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