电子显微镜分析仪

QUANTAX EDS TEM

XFlash®7T -看纳米的颜色:TEM和SEM的STEM EDS

单原子与纳米结构

为每个特定的显微镜获得最好的结果

做marquants

80
凯文
前所未有的能量上限
明确识别和量化所有现有元素
3.
TEM-quantification模型
成功的TEM, STEM和T-SEM,基于理论和实验Cliff-Lorimer因子,以及zeta因子插值,易于使用的强大量化
1
一个
稳定的解决方案
映射具有高稳定性的周期结构(原子,层),并使用增强的漂移校正功能

纳米尺度的透射电镜元素分析

灵活易用的分析软件包ESPRIT与一个开放用户界面你看你做了什么。

离线分析选项为学生或实验室网络提供个人或局域网接入。

老练老练定量能量色散x射线能谱对于完整的数据挖掘包括:

  • 量化步骤的选项:默认建议,方便使用,个人设置,详细修改和保存/重新加载食谱
  • 3种不同的量化方法涵盖所有可能的场景基于理论和实验的Cliff-Lorimer因子、zeta因子以及缺失zeta因子的插值
  • tem专用高能元素线超过40 keV可用于量化,确保明确的结果
  • 的选择3个重要的背景模型:大块的物理模型和薄薄片的物理模型,并建立了数学模型
  • 吸收校正已经被克里夫-洛里默量化了

优点之一

电子透明样品在TEM、STEM和SEM (T-SEM)中的高分辨率元素分布分析

  • 长期在EDS的专业知识,确保配置为您的特定显微镜(STEM, TEM或SEM)提供最佳解决方案得益于纤细的探测器设计和每个显微镜极片和EDS法兰类型的几何优化
  • 允许最大的采集和起飞角度快速、高灵敏度的数据采集
  • 快速移动稳定检波器级
  • 一个特殊的漂移校正程序的周期性特征确保成功的纳米级EDS
  • 用于原位实验的时间分辨数据采集适用于高温下保存不断变化的数据流
  • 自动化的数据采集和分析过程,使用脚本和API选项生成具体分析工作而且批处理
  • 干净的数据,不需要或最小的采集后修正由于完全避免了机械和电磁干扰,避免或保持最小的样品倾斜,吸收,阴影和系统峰值
  • 最老练的EDS数据量化从市场上的电子透明标本提供了彻底的数据挖掘和明确的结果
  • 最高质量的援助和培训由于在TEM方面的长期经验,可以充分利用您的系统

应用程序

最终的结果与新的XFlash®7个用于TEM的EDS检测器

©图片和样品由Michael Malaki, Shamail Ahmed提供;马尔堡菲利普斯大学物理系材料科学中心

包覆锂离子电池阴极粒子的能谱分析

采用涂层结构可以提高电池正极材料(SSB和LIB)的电容保持性能。为了控制这些纳米厚涂层的性能,必须知道它们的元素分布。我们提出了一种基于sem的EDS分析解决方案,在微米大小的不规则表面阴极颗粒上实现纳米分辨率,并将其与TEM EDS进行比较。

透射电镜元素分析的应用领域

半导体
从NiSi(Pt)获得的光谱在低x射线能量下的反褶积结果

NiSi(Pt)-NiSi2半导体结构中Pt浓度的定量研究

本应用实例显示了Pt合金NiSi薄膜外延生长的EDS数据和NiSi中少量% Pt合金的定量。NiSi用于半导体器件(如mosfet)中的纳米级金属化结构。
一个分层系统的组合元素映射

层状结构的化学相分析

在不应用先验知识的情况下,检查高光谱图像是否存在化学相是有利的。Bruker的ESPRIT自相通过分析基于光谱主成分分析的HyperMap自动找到相似成分的样本区域。这个程序的灵敏度可以调整。并以横截面多层结构为例进行了验证。
纳米线的混合元素图

纳米线的化学表征

纳米结构,如纳米线、纳米棒和功能化纳米载具,在纳米技术的各种应用中日益引起人们的兴趣,无论是纳米电子学还是人体药物输送。
石墨烯中的单个硅原子

识别石墨烯上的单个原子

它不仅是获得单个原子光谱的最高艺术,而且还可以提供有关特定元素激发特性的有价值的新信息。
互连结构的高角度环形暗场图像

半导体互连的化学成分

标准能量色散x射线能谱(EDS或EDX)在传统的扫描透射电子显微镜(STEM)上使用30mm2的探测器区域,可以在几分钟内提供纳米分辨率的元素映射。条件是,探测器头足够小(在细线设计中),以尽可能接近(高实心角)标本和高于标本(高起飞角)。后者有助于避免阴影和吸收效应。
RAM微芯片元素分布图

利用SEM中的STEM-EDS对半导体RAM芯片进行高分辨率映射(T-SEM)

用基于x射线的方法绘制半导体纳米结构的元素分布图并不总是直接的。在研究半导体材料时,对纳米尺度空间分辨率和x射线峰重叠的需求是常见的挑战。雷竞技网页版有时,使用SEM代替昂贵的TEM工具和时间来进行表征是有益的。

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