扫描能力显微镜
高分辨率二维横跨剖析
非单片半导体样本对载体集中映射传统依赖工具,如二级离子质谱学(SIMS)、扩散抗波剖面分析(SRP)和单维电容压(C-V)。工具生成一维数据,要求推断二维量化信息
扫描能力显微镜法提供一种方法,直接测量二维内纳米级精度活性载体浓缩单片机取自联系人模式并用极敏感高频共振电路测量端与样本表面间电容变化
除SCM外,Bruker还提供多种纳米特征模式用于各种电气应用
SCM半导体表面图像显示As+离子严重覆盖70微米扫描大小
