FilmTek CD
多通道临界尺寸测量和计量先进的电影
做marquants
FilmTek CD
的FilmTekTMCD光学临界尺寸完全自动化的系统是我们领先的解决方案,高通量测量CD和先进的电影分析1 x nm设计节点和超越。这个系统提供实时多层堆栈表征和CD同时测量,完全已知和未知的结构。
FilmTek CD利用专利多通道测量技术来满足具有挑战性的要求与最复杂的半导体设计开发和生产。这种技术使测量非常小的线宽、sub-10纳米范围的高精度测量。
现有的计量工具,依靠传统的椭圆对称或反射计技术的能力是有限的准确解决CD实时测量,需要繁琐的图书馆一代在设备的研究和开发。FilmTek CD克服了这一局限性的专利综合测量技术提供了一个精确的单一解决方案甚至完全未知的结构。
FilmTek CD包括专有衍射软件快速、实时优化。实时优化允许用户轻松地测量未知结构以最小的设置时间和配方开发,同时避免与图书馆相关的延迟和并发症的一代。
1 x nm节点设计
测量能力
提供快速、可伸缩的CD计量分析和先进的电影。
Sub-10纳米
高性能的测量
使精确描述复杂的半导体特性非常小的线宽度。
实时
优化CD测量
克服了传统系统的局限性和最小的操作员干预提供可靠的测量。
了解更多关于这个乐器。
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的特性
测量功能
- 厚度、折射率和光学CD计量
- 光学常数描述未知的电影
- 厚度超薄薄膜堆栈
- 广泛的临界尺寸测量的应用包括金属门休会,高k休会,侧壁角,抵制高度,硬掩模高度,战壕和联系资料,球场散步
系统组件
标准:
- 多通道测量技术实时多层堆栈表征和CD测量1 x nm设计节点和超越
- 多角度散射测量与专有的严格耦合波分析(RCWA)
- 垂直入射光谱椭圆光度法
- 光谱广义椭圆光度法(4×4矩阵推广方法)与旋转补偿器的设计
- 多角度,DUV-NIR偏振光谱反射(Rs, Rp、负责和Rps)
- 完整的CD参数测量包括期、线宽、沟深度,侧壁角
- 独立测量薄膜厚度和折射率
- 专利抛物面镜技术——小光斑大小措施在50×50µm特性
- 快速、实时优化允许范围广泛的应用程序以最小的安装时间(没有库生成必要的)
- 模式识别(Cognex)
- 盒式磁带薄片处理
- FOUP或SMIF兼容
- 秒/宝石
可选:
- 适合各种预算和最终用途的应用程序,该系统也可作为一个手动加载,桌上型研发单位
应用程序
典型应用领域
典型的应用包括:
- 半导体的研发和生产
规范
技术规格
| 膜厚度范围 | 0到150µm |
|---|---|
| 膜厚度精度 | 100±1.0 NIST可追踪的标准氧化1µm |
| 光谱范围 | 190 nm - 1000 nm (220 nm - 1000 nm标准) |
| 测量光斑大小 | 50µm |
| 光谱分辨率 | 0.3纳米 |
| 光源 | 监管deuterium-halogen灯(2000小时寿命) |
| 探测器类型 | 2048像素索尼线性CCD阵列 |
| 电脑 | 多核处理器操作系统Windows™10 |
| 测量时间 | ~ 2秒(如氧化膜) |
性能规格
| 电影(年代) | 厚度 | 测量参数 | 精度(1σ) |
|---|---|---|---|
| 氧化/ Si | 0 - 1000 | t | 0.03 |
| 1000 - 500000 | t | 0.005% | |
| 1000年,一个 | t、n | 0.2 / 0.0001 | |
| 15000年,一个 | t、n | 0.5 / 0.0001 | |
| 150.000 | t、n | 1.5 / 0.00001 | |
| 氮化硅/硅 | 200 - 10000 | t | 0.02% |
| 500 - 10000 | t、n | 0.05% / 0.0005 | |
| 光刻胶/ Si | 200 - 10000 | t | 0.02% |
| 500 - 10000 | t、n | 0.05% / 0.0002 | |
| 多晶硅/氧化/ Si | 200 - 10000 | t聚t氧化 | 0.2 / 0.1 |
| 500 - 10000 | t聚t氧化 | 0.2 / 0.0005 |