今天最先进的" WLI分析器为先进的包装,提供健壮的metrology-based检查覆盖在一个测量所有的关键应用程序。当与一个自动化集成晶片处理程序、计量控制和SEC-GEM兼容性," WLI分析器将提高产量,推动流程优化,所有cleanroom-constrained最小化占用的空间。
除了涵盖了广泛的拓扑使用单一测量头一个独特的光学列,力量的" WLI分析器提供另一种独特的能力:既独立于垂直分辨率放大/ sub-nanometer-levels客观的使用和操作。先进的包装描述从这些特征。" WLI打开缺陷的机会回顾互连层茂密的凹凸数组或撞凹,捕捉大油田的观点,同时保持垂直分辨率。
同样适用于深度的测量通过硅通过(TSV)灌装前,0.1%精度要求匹配的严格的公差,但低的放大要求收集通过底部的反射光。高垂直分辨率的信心也增强性能的常规平面CD计量,如再分配层的宽度和间距(RDL)或抵消计算覆盖(OVL)之间的连续层3 d集成结构。死亡堆积或die-to-wafer混合粘结,PSI模式,加上缝合,有助于准确地捕获完整的模平面度测微横向分辨率和纳米再现性。因此,化学机械抛光(CMP)可以优化在特定模具布局。
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