椭圆计和反射计gydF4y2Ba

FilmTek 2000gydF4y2Ba

廉价DUV-NIR光谱反射计gydF4y2Ba

做marquantsgydF4y2Ba

FilmTek 2000gydF4y2Ba

的FilmTek™2000自动化台式光谱反射计提供快速、可靠和准确的层厚度和光学特性的测量几乎任何未成形的薄膜5 nm - 150µm厚,与拥有成本远远低于竞争自动化台式反射计系统。gydF4y2Ba

以最精简的光谱反射计设计,FilmTek 2000结合DUV-NIR光纤分光光度计,自动化阶段,计算机,和先进的FilmTek软件以确保操作直观和容易获得可靠的信息样本的属性。FilmTek 2000的标准配置平衡方便、可靠性和速度,同时使完整的自动化、2 d和3 d地图的目标参数,和同时测定多个电影特征在不到1秒/测量站点。gydF4y2Ba

流线型的gydF4y2Ba
台式反射计系统gydF4y2Ba
提供FilmTek的一流自动化和性能特征。gydF4y2Ba
直观的gydF4y2Ba
硬件和软件集成gydF4y2Ba
无论运营商提供易用性和可重复的测量经验水平。gydF4y2Ba
价格适宜的gydF4y2Ba
基本模型配置gydF4y2Ba
支持低拥有成本在不影响数据质量和广泛的应用。gydF4y2Ba
了解更多关于这个乐器。gydF4y2Ba
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的特性gydF4y2Ba

特性gydF4y2Ba

测量功能gydF4y2Ba

可以同时测定:gydF4y2Ba

  • 多个层厚度gydF4y2Ba
  • 的折射指数(n(λ))gydF4y2Ba
  • 灭绝(吸收)系数(k(λ))gydF4y2Ba
  • 能量带隙(EgydF4y2BaggydF4y2Ba]gydF4y2Ba
  • 成分(例如,%通用电气在锗硅gydF4y2BaxgydF4y2Ba在Ga % GagydF4y2BaxgydF4y2Ba在gydF4y2Ba1gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2BaxgydF4y2Ba,%艾尔半岛gydF4y2BaxgydF4y2Ba遗传算法gydF4y2Ba1 - xgydF4y2Ba,等等)。gydF4y2Ba
  • 表面粗糙度gydF4y2Ba
  • 组成部分,空隙率gydF4y2Ba
  • 结晶度/无定形化(例如,文章,GeSbTe电影)gydF4y2Ba
  • 电影梯度gydF4y2Ba

系统组件gydF4y2Ba

标准:gydF4y2Ba

  • DUV-NIR光纤分光光度计gydF4y2Ba
  • 反射光谱测量gydF4y2Ba
  • 自动化阶段gydF4y2Ba
  • 先进材料建模软件gydF4y2Ba
  • 力量的广义物质模型与先进的全局优化算法gydF4y2Ba

应用程序gydF4y2Ba

应用程序gydF4y2Ba

典型应用领域gydF4y2Ba

几乎所有的半透明的薄膜厚度从低于100,约150µm可以测量精度高。典型的应用领域包括:gydF4y2Ba

  • 化合物半导体gydF4y2Ba
  • 领导/ OLEDgydF4y2Ba
  • 太阳能光伏gydF4y2Ba

与灵活的硬件和软件,可以很容易地修改以满足独特的客户需求在学术、研发和生产环境。gydF4y2Ba

规范gydF4y2Ba

技术规格gydF4y2Ba

膜厚度范围gydF4y2Ba 5 nm 150µmgydF4y2Ba
膜厚度精度gydF4y2Ba 1000±1.5 NIST可追踪的标准氧化1µmgydF4y2Ba
光谱范围gydF4y2Ba 190 nm - 1700 nm (240 nm - 1000 nm标准)gydF4y2Ba
测量光斑大小gydF4y2Ba 2毫米- 5毫米(5毫米标准)gydF4y2Ba
样本大小gydF4y2Ba 2毫米- 300毫米(150毫米标准)gydF4y2Ba
光谱分辨率gydF4y2Ba 0.3 - 2海里gydF4y2Ba
光源gydF4y2Ba 监管deuterium-halogen灯(2000小时寿命)gydF4y2Ba
探测器类型gydF4y2Ba 2048像素索尼冷却滨松InGaAs CCD线阵CCD阵列/ 512像素阵列(NIR)gydF4y2Ba
电脑gydF4y2Ba 多核处理器操作系统Windows™10gydF4y2Ba
测量时间gydF4y2Ba < 1秒/站点(例如,氧化膜)gydF4y2Ba
数据采集时间gydF4y2Ba 0.2秒gydF4y2Ba

性能规格gydF4y2Ba

电影(年代)gydF4y2Ba 厚度gydF4y2Ba 测量参数gydF4y2Ba 精度(gydF4y2Ba1σgydF4y2Ba)gydF4y2Ba
氧化/ SigydF4y2Ba 200 - 500gydF4y2Ba tgydF4y2Ba 0.5gydF4y2Ba
500 - 10000gydF4y2Ba tgydF4y2Ba 0.25gydF4y2Ba
1000年,一个gydF4y2Ba t、ngydF4y2Ba 0.25 / 0.001gydF4y2Ba
氮化硅/硅gydF4y2Ba 200 - 10000gydF4y2Ba tgydF4y2Ba 0.25gydF4y2Ba
光刻胶/ SigydF4y2Ba 200 - 10000gydF4y2Ba tgydF4y2Ba 0.5gydF4y2Ba
晶硅/氧化/ SigydF4y2Ba 200 - 10000gydF4y2Ba tgydF4y2Ba 0.5gydF4y2Ba

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