污染控制
可靠和高效的缺陷和污染控制对生产线产量至关重要。这个任务的力量提供了解决方案。
介绍
污染控制
微量金属污染是一个不断对半导体器件制造关注程度的增强。污染尤为先进技术的关键节点。微量金属表面以多种方式影响半导体器件的性能和产品的收益率。在高温处理步骤、金属表面可以扩散到硅基板,作为复合中心,降低少数载流子寿命。金属表面也可以影响硅氧化率,成为纳入门氧化物和氧化降解的完整性。表面测量微量金属污染的设备制造这样一个至关重要的一步。
TXRF
TXRF污染控制
全反射x射线荧光(TXRF)标准监测计量内联半导体表面痕量金属分析。的JVX7300F-C TXRF使快速、非破坏性、内联和完全自动化测量。工具允许工厂技术人员收集关键污染所需测量数据质量控制与可定制的食谱。此外,该软件允许已经获得数据的再分析。
在TXRF一束x射线直接掠射角事件在晶片表面。掠射角是选择让全内反射入射x射线来改善励磁的材料只有在晶片表面。入射x射线能量选择激发某些元素x光从表面污染排放。发出x射线污染物种特征元素特定的能量。这允许的量化污染物种或微量金属。x射线荧光过程非破坏性测量晶圆和大小是由固态探测器几何形状的大小。
收集关键污染测量数据
全反射x射线荧光(TXRF)标准监测计量内联半导体表面痕量金属分析。的JVX7300F-C TXRF使快速、非破坏性、内联和完全自动化测量。工具允许工厂技术人员收集关键污染所需测量数据质量控制与可定制的食谱。此外,该软件允许已经获得数据的再分析。
SEM /为解决方案
在半导体硅化钽解决高峰重叠
因为污染物在半导体材料通常是小和薄的特征,分析通常是在非常低的加速电压(1 - 5 kV)。这限制了x射线光谱仪对低能量线,需要分析技术与高光谱分辨率改进算法等功能。
