半导体薄片的EDS扫描电镜(T-SEM)和阀杆

半导体结构的不断小型化要求对纳米尺度的理解,以确保合适的设计和失效分析。许多调查需要昂贵的测量次高端透射电子显微镜以及复杂的样品制备和样品转移例程。

我们显示选项来评估元素分布电子透明的样品,例如FIB薄片,用能量色散x射线光谱不仅在TEM,而且在扫描电镜(图1)或在心房纤颤。单、多和环形力量XFlash^®探测器可用于快速数据采集。有效的方法定量EDS电子透明标本扫描电镜(所谓的T-SEM)和阀杆。

此外,EDS与其他分析技术,如无损微x射线荧光分析(micro-XRF)使用力量M4龙卷风和菊池衍射传播(跆拳道使用电子透明标本SEM)。

• 科学家和应用科学家从半导体晶圆厂和实验室
• 学术人员和学生感兴趣的小谎,样品制备,SEM, TEM-EDS元素和结构分析和相关分析技术

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