快速元素的映射Si和W晶片蚀刻残留

输入计数率高的元素映射(ICR)是可取的,当分析时间应该最小化。当使用典型输入计数率(在这个例子中63 kcps)在测量短的时间框架(1 = 7秒),总数量太低的数量提供定量的元素分布,甚至透露分布没有过滤(图2)。

映射是具有挑战性,尤其当峰值反褶积是必需的,就像这个例子和Si-K wm阵型峰线系列重叠(即。,Si-Ka 1.740 keV W-Ma 1.775 keV行)。在线反褶积函数应用于EDS映射来检索deconvolved净峰强度(图1)。

电子束电流提供高的计数率(在本例中只有700 kcps)允许快速EDS映射有足够数统计和保存质量光谱。使用这种测量条件,新XFlash^®7探测器提供一个详细的元素分布图像到身体最优分辨率不需要地图过滤(图2,图3的底部)。