量化的Pt浓度非绝对的(Pt) -NiSi2半导体结构

这个应用程序例子展示了EDS数据从Pt合金非绝对的薄膜的外延生长和量化%几的Pt在非绝对的合金。非绝对的用于nm-sized场效应管等半导体器件的金属化结构。Pt合金应用非绝对的稳定金属非绝对的在升高的温度下,避免其转型为导电NiSi2阶段越少。Pt是溶于非绝对的代替倪但不溶于NiSi2。

倪和Pt沉积在HF-cleaned由磁控溅射(001)硅晶圆。的Pt气急败坏的从单一Pt目标是优化存款几% Pt。这部电影是快速退火30年代在N2气氛的700°C,生产非绝对的和NiSi2的混合物。更密集的非绝对的光明出现在Z(原子序数)对比的高角度环形暗场图像(HAADF)。工党鳗鱼是很难量化的内容由于延迟Pt边缘。

在EDS地图覆盖HAADF形象,然而,在7分钟内获得工党是清晰可见。0.12 sr, 22°起飞角SDD传统茎用于EDS-data收购。Pt的首选解决方案在非绝对的被这个EDS实验证实。量化的Pt内容在非绝对的使用理论Cliff-Lorimer因素提供预期的误差范围内2在% %的±1所示量化地图并提取线扫描。两个确认Pt或多或少是均匀分布在非绝对的% 2。