硅质量控制
.
西QC
硅质量控制
元素杂质和晶板中断对硅光电特性产生深刻影响监控外国污染质量和Si-Crystrite尺寸是一项关键任务雷竞技网页版FT-IR和Micro-XRF是理想分析工具,可视化这类材料中的大缺陷和晶体
FT-IR应用实例
FT-IR硅质量控制解决方案
雷竞技网页版可调查全方位材料,特别包括按ASTM/SEMIMM标准解决硅QC
- 室温碳和氧量化工业生成硅
- 浅杂质测定
- 低温NIR光照度量化浅质敏感度不匹配
CryosASA:
低温硅杂质分析低温硅分析系统
Sibrickscan:
联机硅计算分析器SiBrickscan实现氧量化
INVEIO和VERTEX:
下一代FT-IR高弹性光谱仪
室温碳和氧用硅量化
FTIR分析硅碳和Oxygen快速、敏感、免费销毁并因此成为普遍接受的Si质量控制方法
布鲁克有数十年经验 本领域并基于VERTEX数列 我们提供最强最新解决方案
- 室温量化Si替代碳
- 室间Oxygen使用ASTM/SEMIM1188
- 可实现检测限值 < 400pp
- 推荐样本属性:厚度0.5-2.5毫米、双面擦除、单晶体或多晶体
低温光照QC
低温NIR光照化能量化浅色杂质(例如单晶硅片显示ASTM/SEMIMFI1389
VERTEX80FTIR光谱计和专用Si光照模块加密码并存,检测限值小于1ppta是可以实现的
- ASTM/SEMIMFI1389
- 敌百虫质量控制
- 各种选项,如密码自动化软件SiQC光照光化专用软件、标定样本和2+振荡激光
微XRF应用实例
应用实例
快速水晶域映射使用分布式微XRF
散能XRF中,Bragg分片峰常被视为干扰荧光资料的烦人人工制品与晶体取向相关联的这些Bragg峰值为样本性质提供了补充信息。在这里,我们描述如何M4TORNADO可视觉化晶域雷竞技网页版信息对评价单晶体质量和多晶素特性至关重要可用此原理识别单晶体中的子粒度偏差以及多晶度样本中的晶度
并阅读此相关出版物
