Siコア-Cシェルナノ粒子の超高分解能元素マッピング

如果ナノ粒子などのビームに敏感なサンプルのSEMベースのEDS分析には,非常に低いビーム電流や非常に短い測定時間が必要です。高い空間分解能が必要な場合は，低電圧で電子とサンプルの相互作用を減らす必要があります。従来のEDS測定では,励起されるX線の収率が非常に低く,非常に長い測定時間が必要になるため,このような分析の条件は困難です。結果として，ビ，ムによってサンプルドリフトが生じ，空間分解能に影響を与えてしまいます。

XFlash^®FlatQUADで実行されるeds測定では，これらの制限を克服できます。XFlash^®FlatQUADの独自の形状は,低X線収量の材料に対して高い検出感度を可能にし,低いプローブ電流で高いカウント率が得られます。従って，XFlash^®FlatQUAD検出器は，凹凸がありビ，ムに敏感な材料をマッピングするのに理想的です。

この例では，シリコンナノ粒子の高解像度マップ(ピクセル間隔2 nm)を示しています。マッピングは，5 kV, 520 pA, 377秒の取得時間で，XFlash^®FlatQUADを使用して行われました。結果として,本ナノ粒子がシリコンコア(緑)とカーボンシェル(赤)によって特徴付けられることを示しています。

(デ，タ提供:s .;Rades等，英国皇家化学学会进展，2014,4,49577)