電子顕微鏡用分析装置

QUANTAX EDS(TEM)

XFlash®7T - ナノの世界を彩る : TEM/STEM用 EDS検出器

Single Atoms and Nanostructures

Get the Best Possible Results for each Specific Microscope

ハイライト

80
keV
最高の検出エネルギー範囲
すべての元素を明確に同定・定量
3
TEM用定量モデル
理論的および実験的クリフロリマー因子、ゼータ因子に基づく強力なTEM用定量手法を手軽に利用可能
1
Å
優れた空間分解能
ドリフト補正による高い安定性で原子や層などの周期構造をマッピング

透過電子顕微鏡でのナノスケール元素分析

直観的なユーザーインターフェースで操作しやすく柔軟なESPRITソフトウェア

測定機器の使用時間を節約できるオフライン分析オプション

洗練されたEDS定量分析で測定データから情報を抽出 :

  • 選択可能な定量手順 :手軽に使用できる自動定量機能、カスタム条件設定、定量レシピの読み込み、カスタマイズおよび保存
  • 理論的および実験的クリフロリマー因子、ゼータ因子、ゼータ因子の補完機能を網羅した3種の定量メソッド
  • TEMならではの40 keV以上の高エネルギーピークを用いた明確な定量分析
  • 3種のバックグラウンドモデルが選択可能 : バルク試料用理論モデル、薄膜試料用理論モデル、数学的モデル
  • クリフロリマー定量では吸収補正を利用可能

利点

TEM、STEM、SEM (T-SEM)での薄膜試料の高空間分解能元素分析

  • 長年の実績に基づくスリムライン検出器デザインとそれぞれの顕微鏡ポールピースへの検出器配置の最適化により最適なソリューションを実現します
  • 最高の検出立体角と取り出し角による高速・高感度データ取得
  • 高速動作する安定な検出器ステージ
  • ナノスケールでのEDS分析に効果的なドリフト補正機能
  • 顕微鏡内加熱実験などの一連のデータを記録する時系列測定機能
  • スクリプト機能やAPIオプションを用いた測定・分析の自動化により分析ルーチン作成バッチ処理が可能
  • 機械的干渉・電磁的干渉を抑えた検出器設計、試料傾斜、吸収、シャドーイング、システムピークを抑えた高品位なデータを取得し、測定後の補正を最小化
  • 最も洗練された薄膜試料用EDS定量分析で測定データから明確な分析結果を抽出
  • 長年のTEM-EDS分析の実績に基づく高品質なサポートとトレーニングにより装置を最大活用

アプリケーション

新世代TEM用EDS検出器 XFlash®7 で最高の結果を

© Image and sample courtesy of Michael Malaki, Shamail Ahmed; Material Science center, Faculty of physics, Philipps University Marburg

コーティングされたリチウムイオン電池正極材料のEDS分析

固体電池やリチウムイオン電池の容量維持率はNCM粒子のコーティング構造によって向上します。このナノメートル厚のコーティングを制御するためには元素分布を知る必要があります。 不規則な表面形状のミクロンサイズ正極粒子に対して、SEM-EDSおよびTEM-EDSでナノメートル空間分解能のEDS分析を行った結果をご紹介します。

TEM-EDS元素分析のアプリケーション例

半導体
Deconvolution results at low X-ray energy of a spectrum obtained from a NiSi(Pt)

Quantification of the Pt Concentration in a NiSi(Pt)-NiSi2 Semiconductor Structure

This application example shows EDS data from the epitaxial growth of a Pt alloyed NiSi thin film and the quantification of a few at% of Pt alloyed in NiSi. NiSi is used for nm-sized metallization structures in semiconductor devices like MOSFETs.
Combined element maps of a layered system

Chemical Phase Analysis of a Layered Structure

It can be advantageous to check hyperspectral images for the existence of chemical phases without applying prior knowledge. Bruker’s ESPRIT AutoPhase automatically finds specimen regions of similar composition by analyzing a HyperMap based on Principle Component Analysis of the spectra. The sensitivity of this procedure can be adjusted. The approach is demonstrated using a multi-layer structure in cross-section as an example.
米ixed element map of nanowires

Chemical Characterization of Nanowires

Nanostructures, such as nanowires and nanorods and functionalized nanovehicles are of growing interest for various applications in nanotechnology, be that nano-electronics or drug delivery in the human body.
Single silicon atom in graphene

Identifiying a Single Atom on Graphene

Not only is it the highest art of EDS to obtain spectra of a single atom, but it can also provide valuable new information on the excitation properties of specific elements.
High angle annular darkfield image of an interconnect structure

Chemical Composition of Semiconductor Interconnects

Standard energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS or EDX) using detector areas of 30mm2 on conventional scanning transmission electron microscopes (STEM) can deliver element mappings with nm resolution within a few minutes. The condition is, that the detector head is small enough (in slim-line design) to get as close to the specimen for (high solid angle) and as high above the specimen (for high take-off angle) as possible. The latter helps to avoid shadowing and absorption effects.
RAM microchip elemental distribution map

High Resolution Mapping of a Semiconductor RAM Microchip Using STEM-EDS in SEM (T-SEM)

Element distribution mapping of semiconductor nanostructures with X-ray based methods is not always straight forward. The need of nanoscale spatial resolution and X-ray peak overlaps are common challenges when investigating semiconductor materials. Sometimes it can be beneficial to use the SEM instead of expensive TEM tools and time for characterization.

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