半导体片层在SEM (T-SEM)和STEM中的能谱分析
点播会议- 60分钟
电子透明样品的定量元素映射
半导体结构的持续小型化需要他们在纳米尺度上的理解，以确保合适的设计和失效分析。许多研究需要昂贵的高端透射电子显微镜的测量时间，以及复杂的标本制备和标本转移程序。
我们展示了评估电子透明样品中元素分布的选项，例如FIB片层，使用能量色散x射线光谱学不仅在TEM，但也在扫描电镜(图1)或FIB期间。单、多、环空布鲁克XFlash®检测器可用于快速数据采集。介绍了电子透明样品在扫描电镜(所谓的T-SEM)和STEM中定量EDS的有效方法。
此外，EDS与其他分析技术相关，如使用Bruker的非破坏性微x射线荧光分析(micro- xrf)M4龙卷风和透射菊池衍射(跆拳道)，在扫描电镜中使用电子透明样品。
覆盖在二次电子图像上的半导体薄片中的元素分布(元素线反褶积后的净计数)。采用高采集角环形Bruker XFlash FlatQUAD EDS检测器，采集时间为3 min，对FIB后的样品进行扫描电镜观察。为清楚起见，并不是所有的元素都显示出来。
谁应该参加?
- 来自半导体工厂和实验室的科学家和应用科学家
- 对FIB、样品制备、SEM和TEM-EDS以及元素和结构分析相关分析技术感兴趣的学术人员和学生
演讲者
迈肯·福尔克博士
布鲁克纳米分析公司EDS/TEM全球产品经理
马克斯Patzschke
应用科学家，布鲁克纳米分析
Purvesh索尼
应用科学家，布鲁克纳米分析
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