나노와이어및나노로드및기능성나노차량과같은나노구조는나노기술의다양한응용분야에대한관심이증가하고있으며,인체에서나노전자또는약물전달이될수있다。
단일전자트랜지스터의개발에적용될다층III-V -나노와이어는22°TOA에서0.12 sr를사용하여조사되었다。이샘플은이탈리아의스쿠올라아멀슈페리어피사의일부인Laboratorio巢에의해친절하게제공되었습니다。각픽셀에대한스펙트럼을저장하는브루커의”하이퍼맵”은획득한데이터의온/오프라인분석을통해신중하게수행할수있습니다。大黄蜂:大黄蜂:大黄蜂:大黄蜂:大黄蜂:大黄蜂:大黄蜂:大黄蜂:大黄蜂:大黄蜂:大黄蜂겹치는盟Mα및P Kα선(스펙트럼참조)의감소는나노와이어의끝에서보이는금촉매입자를올바르게나타내는데매우중요합니다。4 x4픽셀비닝은통계를향상시키는데사용되었다。맵과추출된정량화선스캔에나와같이두께가1.5 nm까지의단일P리치레이어는명확하게구별할수있습니다。추출된라인스캔의정량화된원소프로파일은또한인듐농도가에50%머무르는반면,와P는나노와이어조성물의50%를형성하기위해서로교환하고있음을보여준다。