FilmTek 3000 SE
多通道台式清晰的理想测量非常薄的引人入胜的电影
하이라이트
FilmTek 3000 SE
的FilmTek™3000 SE高性能台式椭圆计/ reflection-transmission分光光度计为调查提供了一个通用的设备解决方案非常薄吸收电影在透明基板。
该系统结合了旋转compensator-based光谱椭圆计设计和高性能DUV多角度反射计测量和传输功能。因此能够同时独立测量厚度、折射率、消光系数的吸收薄膜样品在透明基板,以及几乎任何其他透明薄膜样品< 1 150µm厚,具有很高的准确性和可重复性。
FilmTek 3000 SE的完全集成的配置包括完整的自动化和先进材料建模功能,允许用户收集反射,透射和ellipsometric数据异常轻松地和效率。此外,这个系统就可以配置为收集偏振测定数据,使其更广泛地适用于用例需要双折射的测量(例如,光学镀膜分析)。它的多通道、易于使用的,可扩展的设计使得FilmTek 3000 SE适合学术和科研应用。
设备
ellipsometric、反射和透射测量
允许描述的很薄的透明基板上吸收电影更大的准确性和效率比传统monomodal方法。
高性能
多通道设计
提供额外的数据和可定制的功能以满足甚至挑战性和复杂的测量需求。
可扩展的
FilmTek技术
提供了有意的和精心设计的解决方案来测量样品吸收的独特挑战。
多学些这个乐器。
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특징
测量功能
可以同时测定:
- 多个层厚度
- 的折射指数(n(λ))
- 灭绝(吸收)系数(k(λ))
- 能量带隙(如)
- 成分(例如,% SiGex通用电气,% GaxIn1-xAs Ga, % AlxGa1-xAs Al,等等)。
- 表面粗糙度
- 组成部分,空隙率
- 结晶度/无定形化(例如,文章或GeSbTe电影)
- 电影梯度
系统组件
标准:
- 光谱椭圆对称旋转补偿器设计(300 nm - 1700 nm)
- 光谱反射(190 nm - 1700 nm)偏振光在多个角度
- 传输测量
- 独立测量薄膜厚度和折射率
- 多角度偏振测定差(MADP)技术与科学的专利微分功率谱密度抛物型)技术
- 适合测量超薄电影(0.03对原生氧化可重复性)
- 先进材料建模软件
- 力量的广义物质模型与先进的全局优化算法
可选:
- 广义椭圆光度法(4×4矩阵推广方法)对各向异性测量(nx、纽约、新西兰)
- 偏振测定测量的准确同时测定光学常数和双折射
응용
典型应用领域
几乎所有的半透明的电影不等厚度小于1的大约150µm可以测量精度高。典型的应用领域包括:
- 半导体和绝缘材料雷竞技网页版
- 领导/ OLED
- 多层光学薄膜
- 光学增透膜
- 光电材料雷竞技网页版
- 电脑磁盘
- 镀膜玻璃
- 薄金属
- 太阳能电池
与灵活的硬件和软件,可以很容易地修改以满足独特的客户需求,尤其是在学术和研发环境。
사양
技术规格
| 膜厚度范围 | 0到150µm |
|---|---|
| 膜厚度精度 | 100±1.0 NIST可追踪的标准氧化1µm |
| 光谱范围 | 240 nm - 1700 nm (240 nm - 1000 nm标准) |
| 测量光斑大小 | 3毫米 |
| 样本大小 | 2毫米- 300毫米(150毫米标准) |
| 光谱分辨率 | 0.3 - 2 nm |
| 光源 | 监管deuterium-halogen灯(2000小时寿命) |
| 探测器类型 | 2048像素索尼冷却滨松InGaAs CCD线阵CCD阵列/ 512像素阵列(NIR) |
| 自动化与自动对焦 | 标准是300毫米(200毫米) |
| 电脑 | 多核处理器操作系统Windows™10 |
| 测量时间 | ~ 2秒/站点(例如,氧化膜) |
性能规格
| 电影(年代) | 厚度 | 测量参数 | 精度(1σ) |
|---|---|---|---|
| 氧化/ Si | 0 - 1000 | t | 0.03 |
| 1000 - 500000 | t | 0.005% | |
| 1000年,一个 | t、n | 0.2 / 0.0001 | |
| 15000年,一个 | t、n | 0.5 / 0.0001 | |
| 150.000 | t、n | 1.5 / 0.00001 | |
| 氮化硅/硅 | 200 - 10000 | t | 0.02% |
| 500 - 10000 | t、n | 0.05% / 0.0005 | |
| 光刻胶/ Si | 200 - 10000 | t | 0.02% |
| 500 - 10000 | t、n | 0.05% / 0.0002 | |
| 多晶硅/氧化/ Si | 200 - 10000 | t聚t氧化 | 0.2 / 0.1 |
| 500 - 10000 | t聚t氧化 | 0.2 / 0.0005 |