FilmTek 2000gydF4y2Ba
廉价DUV-NIR光谱反射计gydF4y2Ba
하이라이트gydF4y2Ba
FilmTek 2000gydF4y2Ba
的FilmTek™2000自动化台式光谱反射计提供快速、可靠和准确的层厚度和光学特性的测量几乎任何未成形的薄膜5 nm - 150µm厚,与拥有成本远远低于竞争自动化台式反射计系统。gydF4y2Ba
以最精简的光谱反射计设计,FilmTek 2000结合DUV-NIR光纤分光光度计,自动化阶段,计算机,和先进的FilmTek软件以确保操作直观和容易获得可靠的信息样本的属性。FilmTek 2000的标准配置平衡方便、可靠性和速度,同时使完整的自动化、2 d和3 d地图的目标参数,和同时测定多个电影特征在不到1秒/测量站点。gydF4y2Ba
流线型的gydF4y2Ba
台式反射计系统gydF4y2Ba
提供FilmTek的一流自动化和性能特征。gydF4y2Ba
直观的gydF4y2Ba
硬件和软件集成gydF4y2Ba
无论运营商提供易用性和可重复的测量经验水平。gydF4y2Ba
价格适宜的gydF4y2Ba
基本模型配置gydF4y2Ba
支持低拥有成本在不影响数据质量和广泛的应用。gydF4y2Ba
了解更多关于这个乐器。gydF4y2Ba
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특징gydF4y2Ba
测量功能gydF4y2Ba
可以同时测定:gydF4y2Ba
- 多个层厚度gydF4y2Ba
- 的折射指数(n(λ))gydF4y2Ba
- 灭绝(吸收)系数(k(λ))gydF4y2Ba
- 能量带隙(EgydF4y2BaggydF4y2Ba]gydF4y2Ba
- 成分(例如,%通用电气在锗硅gydF4y2BaxgydF4y2Ba在Ga % GagydF4y2BaxgydF4y2Ba在gydF4y2Ba1gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2BaxgydF4y2Ba,%艾尔半岛gydF4y2BaxgydF4y2Ba遗传算法gydF4y2Ba1 - xgydF4y2Ba,等等)。gydF4y2Ba
- 表面粗糙度gydF4y2Ba
- 组成部分,空隙率gydF4y2Ba
- 结晶度/无定形化(例如,文章,GeSbTe电影)gydF4y2Ba
- 电影梯度gydF4y2Ba
系统组件gydF4y2Ba
标准:gydF4y2Ba
- DUV-NIR光纤分光光度计gydF4y2Ba
- 反射光谱测量gydF4y2Ba
- 自动化阶段gydF4y2Ba
- 先进材料建模软件gydF4y2Ba
- 力量的广义物质模型与先进的全局优化算法gydF4y2Ba
응용gydF4y2Ba
典型应用领域gydF4y2Ba
几乎所有的半透明的薄膜厚度从低于100,约150µm可以测量精度高。典型的应用领域包括:gydF4y2Ba
- 化合物半导体gydF4y2Ba
- 领导/ OLEDgydF4y2Ba
- 太阳能光伏gydF4y2Ba
与灵活的硬件和软件,可以很容易地修改以满足独特的客户需求在学术、研发和生产环境。gydF4y2Ba
사양gydF4y2Ba
技术规格gydF4y2Ba
| 膜厚度范围gydF4y2Ba | 5 nm 150µmgydF4y2Ba |
|---|---|
| 膜厚度精度gydF4y2Ba | 1000±1.5 NIST可追踪的标准氧化1µmgydF4y2Ba |
| 光谱范围gydF4y2Ba | 190 nm - 1700 nm (240 nm - 1000 nm标准)gydF4y2Ba |
| 测量光斑大小gydF4y2Ba | 2毫米- 5毫米(5毫米标准)gydF4y2Ba |
| 样本大小gydF4y2Ba | 2毫米- 300毫米(150毫米标准)gydF4y2Ba |
| 光谱分辨率gydF4y2Ba | 0.3 - 2海里gydF4y2Ba |
| 光源gydF4y2Ba | 监管deuterium-halogen灯(2000小时寿命)gydF4y2Ba |
| 探测器类型gydF4y2Ba | 2048像素索尼冷却滨松InGaAs CCD线阵CCD阵列/ 512像素阵列(NIR)gydF4y2Ba |
| 电脑gydF4y2Ba | 多核处理器操作系统Windows™10gydF4y2Ba |
| 测量时间gydF4y2Ba | < 1秒/站点(例如,氧化膜)gydF4y2Ba |
| 数据采集时间gydF4y2Ba | 0.2秒gydF4y2Ba |
性能规格gydF4y2Ba
| 电影(年代)gydF4y2Ba | 厚度gydF4y2Ba | 测量参数gydF4y2Ba | 精度(gydF4y2Ba1σgydF4y2Ba)gydF4y2Ba |
|---|---|---|---|
| 氧化/ SigydF4y2Ba | 200 - 500gydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.5gydF4y2Ba |
| 500 - 10000gydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.25gydF4y2Ba | |
| 1000年,一个gydF4y2Ba | t、ngydF4y2Ba | 0.25 / 0.001gydF4y2Ba | |
| 氮化硅/硅gydF4y2Ba | 200 - 10000gydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.25gydF4y2Ba |
| 光刻胶/ SigydF4y2Ba | 200 - 10000gydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.5gydF4y2Ba |
| 晶硅/氧化/ SigydF4y2Ba | 200 - 10000gydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.5gydF4y2Ba |