基于STEM-EDS的半导体结构高分辨率扫描电镜(T-SEM)

用基于x射线的方法绘制半导体纳米结构的元素分布并不总是直接的。在研究半导体材料时，对纳米尺度空间分辨率和x射线峰重叠的需求是常见的挑战。雷竞技网页版透射模式的扫描电镜(T-SEM)有时可以代替昂贵的透射电镜。本例显示了一个高分辨率EDS在扫描电子显微镜中使用环形镜获得的半导体结构图XFlash^®FlatQUADEDS探测器采用4个SDD象限，在试样和SEM极片之间呈径向对称排列。该图是在20kv和220pa电流下获得的。XFlash的高灵敏度^®FlatQUAD探测器允许在SEM中实现优于10 nm的空间分辨率(见图2)。尽管x射线峰有很强的重叠，但由于在Bruker' s中实施的峰反褶积模型，硅(Si)和钨(W)可以在图中很好地区分。思捷环球软件(见图1)。