硅质量控制
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如果质量控制
硅质量控制
元素杂质和晶格的破坏对硅的光学和电学性质有深刻的影响。因此，对外来污染物和硅晶尺寸的质量进行监测是一项关键任务。FT-IR和micro-XRF是理想的分析工具，以显示这种材料中的大缺陷和结晶。雷竞技网页版
FT-IR应用实例
硅质量控制的FT-IR解决方案
根据ASTM/SEMI MF标准，雷竞技网页版可以研究一系列材料，包括硅质量控制的特定解决方案。
- 工业生产硅的室温碳氧定量
- 对硅的电性能有显著影响的浅层杂质(B、P、As等)的测定
- 低温近红外光致发光定量浅杂质与无与伦比的灵敏度
CryoSAS:
用于低温硅杂质分析的低温硅分析系统
SiBrickScan:
在线硅锭分析仪SiBrickScan用于氧定量
INVENIO和VERTEX:
具有高灵活性的新一代FT-IR光谱仪
硅中室温碳氧定量研究
FTIR分析硅中的碳和氧快速，灵敏，无破坏，因此是广泛接受的硅质量控制方法。
Bruker在该领域拥有数十年的经验，基于VERTEX系列，我们提供最强大和最新的解决方案。
- 根据ASTM/SEMI MF1391, Si中取代碳的室温定量
- 根据ASTM/SEMI MF1188, Si中间隙氧的室温定量
- 可达到的检测限< 400ppba
- 推荐样品性能:厚度0.5 - 2.5 mm，双面抛光，单晶或多晶
硅QC的低温光致发光
低温近红外光发光(PL)可以根据ASTM/SEMI MFI1389对单晶硅中的浅杂质(如B, P)进行定量。
结合VERTEX 80 FTIR光谱仪无与伦比的灵敏度和带有低温恒温器的专用Si光发光模块，可实现低于1ppta的检测限。
- 根据ASTM/SEMI MFI1389对单晶硅中的B, P和Al进行定量
- 三氯硅烷(TCS) CVD外延硅层的质量控制
- 各种选项，如低温恒温自动化，光致发光Si QC专用软件，校准样品和第二次附加激发激光
Micro-XRF应用实例
应用实例
基于能量色散微xrf的快速晶体域映射
在能量色散XRF中，布拉格衍射峰通常被认为是干扰荧光信息的一个麻烦的伪影。然而，这些布拉格峰，因为它们与晶体取向有关，提供了关于样品性质的额外信息。在这里，我们描述如何M4龙卷风可以用来可视化晶体域。这些信息对于评价单晶的质量以及多晶材料的性能至关重要。雷竞技网页版该原理可用于识别单晶中的亚晶粒取向偏差以及多晶样品中的晶体尺寸。
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