硅和钨晶片蚀刻残留物的快速元素映射

当需要最小化分析时间时，具有高输入计数率(ICR)的元素映射是理想的。在短测量时间内(1帧= 7秒)使用典型的输入计数率(在本例中为63 kcps)时，总计数数太低，无法提供定量元素分布，甚至无法在没有过滤的情况下显示分布(图2顶部)。

当需要峰反褶积时，映射尤其具有挑战性，就像这个例子中Si-K和W-M峰线系列重叠(即Si-Ka在1.740 keV和W-Ma线在1.775 keV)。将在线反卷积函数应用于EDS映射以检索反卷积的净峰强度(图1)。

更高的电子束电流提供更高的输入计数率(本例中的ICR为700 kcps)，允许快速的EDS映射，具有足够的计数统计和保留的光谱质量。利用这样的测量条件，新的XFlash^®7探测器提供详细的元素分布图像，达到物理上最优的分辨率，而不需要地图过滤(图2底部，图3底部)。