原子列EDS分析

半导体的性质是由其结构在原子层面上,例如由点缺陷。使用EDS映射在尽可能高的分辨率可以定位和描述等缺陷。

这个应用程序的例子看公布的数据请提供和m . w .楚(m . w .楚等。物理。启。104,196101 (2010),https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.104.196101)。调查是一个多层结构组成的互层InGaAs InAlAs。只使用3女士居住时间(13 s总测量时间)和33 pA电子束电流,可以确定一个成分变化的一个原子列InGaAs结构。没有失踪在可以看到蓝色的右下角的地图,它也会导致较低的印加列所示的树线配置文件中。