超低噪声成像和AFM分析
洞察力帽惠普是世界上最直观,最容易使用,成本有效原子力分析器提供最快的时间准确、可行的粗糙度,深度,profilometric和侧壁特征数据及时,process-critical决定提高收益率。
监控的裸晶圆表面粗糙度和毯子电影是现代半导体器件制造的关键和新兴技术如端混合粘结的轻微偏移的表面粗糙度和地形会导致defectivity和焊接失败。
洞察力CAP-HP行业最快,最高分辨率自动AFM裸/诅咒的晶片高容量的计量。高达20 WPH - 2 x 2 nm像素大小——fab硬化和设计的易用性,洞察CAP-HP使最快的时间为关键流程数据,可以依赖的决定。
缺陷在裸露的和未成形的晶片是隐藏的设备杀手。缺陷变得越来越难找到。在先进的设计节点,更高的模式密度和较小的临界尺寸收缩的最小大小yield-killing裸硅片缺陷。
一旦未成形的晶片上的缺陷已确定,审查制度必须准确地重新检测这些缺陷进行审查。洞察力CAP-HP支持+切口边缘建立全球粗对齐。缺陷re-detected,坐标系统是动态细化,以确保所有后续缺陷的快速检测。
深度测量的后端行过程控制是至关重要的,确保适当的接触金属层,以确保较低的力量和速度要求当今的半导体。
力量的专有DTMode使用一种自适应矢量扫描算法最快,最精确的深度为生产高容量计量。DTMode是保证高精度的事实在DTMode收集的数据点都是只有那些数据点的系统取得了定位点条件。
过程控制要求精度,精度和长期再现性;CMP过程控制需要所有这些的同时保持敏感性现代抛光技术的子纳米地形方面,中期,和古代的行结束。
洞察力CAP-HP微微米的灵敏度保证检测的波兰残余地形。0.3纳米,长远来看,probe-to-probe重复性和再现性,这是信任数据过程控制。
互补金属氧化物半导体元件性能直接受到载流子迁移率的影响,由侧壁表面粗糙度的强烈影响。场高载流子迁移率取决于表面散射,因此表面粗糙度是一个关键参数监测
力量的专有CDMode侧壁的行业标准CD-AFM计量和CD参考计量。CDMode批判性的使用喇叭靴子形状的探针来确保只有一个单点探测与井壁相互作用。如果超过一个单点交互出现,例如倾斜扫描仪的数据不能准确地代表侧壁形态和粗糙度。
我们最喜欢的高分辨率图像有问题由今天无处不在的CMOS图像传感器(CIS)需要高效光收集和颜色过滤。为此,光收集眼镜继续萎缩而镜片的形状必须专注光虽然颜色过滤器(CFA)
洞察力帽惠普有专门独联体和CFA分析为今天的独联体和CFA设计计量的要求。CIS,每个镜头都是自动识别和关键指标自动计算和报告。
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