3000年FilmTek PAR-SE
先进的多通道测量透明或不透明的底物有图案的薄膜
Destaques
3000年FilmTek PAR-SE
的FilmTek™3000 PAR-SE是我们最先进的和通用的计量解决方案,能够满足测量极具挑战性的要求在研发和生产环境。虽然达到idustry-leading准确度和精密度在几乎任何先进的薄膜测量应用程序中,这个系统擅长材料表征产品的晶圆和有图案的薄膜透明和不透明的底物。
像我们其他PAR-SE产品,该系统结合了旋转compenstor-based光谱椭圆对称,DUV多角度偏振反射计,我们的专利抛物面镜micro-spot光学设计,我们的专有的多角度偏振测定差(MADP)和微分功率谱密度抛物型)技术,先进材料建模软件和优化算法。它也是独一无二的能力光谱传输测量在一个扩展的光谱范围。结果,3000年FilmTek PAR-SE不仅达到行业领先的敏感性超薄薄膜和多层膜的变化,但也特别适合使用吸收有图案的薄膜或产品包含吸收结构的晶片。
此外,3000年FilmTek PAR-SE的硬件和软件都可以很容易修改以满足独特的客户需求和测量需求远远超出这些主流电影计量的应用程序,包括那些需要广义椭圆对称或更先进的自动化。
独特的
样本的兼容性
使反射、透射和ellipsometric测量材料的透明和不透明的底物。雷竞技网页版
先进的
FilmTek PAR-SE设计
在应用程序中提供了行业领先的准确度和精密度远远超出竞争系统的能力。
传输
测量能力
提供增强的准确性和重复性的图案和吸收电影和产品晶片。
了解更多关于这个乐器。
联系我们
Caracteristicas
测量功能
可以同时测定:
- 多个层厚度
- 的折射指数(n(λ))
- 灭绝(吸收)系数(k(λ))
- 能量带隙(如)
- 成分(例如,% SiGex通用电气;% Ga GaxIn1-xAs;% AlxGa1-xAs等。)
- 表面粗糙度
- 组成部分,空隙率
- 结晶度/无定形化(例如,文章或GeSbTe电影)
- 电影梯度
系统组件
标准:
- 反射光谱测量
- 光谱传输测量
- 光谱椭圆对称旋转补偿器设计(295 nm - 1700 nm)
- 多角度偏振光谱反射(190 nm - 1700 nm)
- 光谱传输测量(220 nm - 1000 nm)
- 独立测量薄膜厚度和折射率
- 多角度偏振测定差(MADP)技术与科学的专利微分功率谱密度抛物型)技术
- 适合测量超薄电影(0.03对原生氧化可重复性)
- 相机成像测量位置
- 模式识别
- 50微米光斑大小
- 先进材料建模软件
- 力量的广义物质模型与先进的全局优化算法
可选:
- 自动化的样品处理
- 广义椭圆光度法(4×4矩阵推广方法)对各向异性测量(nx、纽约、新西兰)
- 秒/宝石
Aplicacoes
典型应用领域
几乎所有的半透明的薄膜厚度从低于100,约150µm可以测量精度高。典型的应用领域包括:
- 光子学和电信
- 平板显示器
灵活的软件,可以很容易地修改以满足独特的客户需求研发和生产环境。
Especificacoes
技术规格
| 膜厚度范围 | 0到150µm |
|---|---|
| 膜厚度精度 | 100±1.0 NIST可追踪的标准氧化1µm |
| 光谱范围 | 190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm标准) |
| 测量光斑大小 | 25µm - 300µm(50µm标准);2毫米(70°) |
| 光谱分辨率 | 0.3 - 2海里 |
| 光源 | 监管deuterium-halogen灯(2000小时寿命) |
| 探测器类型 | 2048像素索尼冷却滨松InGaAs CCD线阵CCD阵列/ 512像素阵列(NIR) |
| 电脑 | 多核处理器操作系统Windows™10 |
| 测量时间 | ~ 2秒/站点(例如,氧化膜) |
性能
| 电影(年代) | 厚度 | 测量参数 | 精度(1σ) |
|---|---|---|---|
| 氧化/ Si | 0 - 1000 | t | 0.03 |
| 1000 - 500000 | t | 0.005% | |
| 1000年,一个 | t、n | 0.2 / 0.0001 | |
| 15000年,一个 | t、n | 0.5 / 0.0001 | |
| 150000年,一个 | t、n | 1.5 / 0.00001 | |
| 光刻胶/ Si | 200 - 10000 | t | 0.02% |
| 500 - 10000 | t、n | 0.05% / 0.0002 | |
| 氮化硅/硅 | 200 - 10000 | t | 0.02% |
| 500 - 10000 | t、n | 0.05% / 0.0005 | |
| 多晶硅/氧化/ Si | 200 - 10000 | t(聚)t(氧化) | 0.2 / 0.1 |
| 500 - 10000 | t(聚)t(氧化) | 0.2 / 0.0005 |