FilmTek 2000一样gydF4y2Ba
Micro-spot DUV-NIR光谱反射计的晶圆gydF4y2Ba
DestaquesgydF4y2Ba
FilmTek 2000一样gydF4y2Ba
的FilmTek™2000标准台式高通量的光谱反射计是一种经济的解决方案,完全自动化的映射的晶片在研发和生产环境。它是专门设计来解决广泛的wafer-based在硅半导体技术应用,领导/ OLED和数据存储。gydF4y2Ba
扩大在FilmTek 2000的专有DUV-NIR光谱反射计技术,FilmTek 2000 PAR功能集成自动化晶圆处理,模式识别,专利抛物线mirror-based micro-spot测量功能(50µm标准,到13µm)。这个系统提供最佳的测量有图案的晶片更高效、直观,对局部不均匀性比反射计和敏感,即使在具有挑战性的样本。gydF4y2Ba
FilmTek 2000面值的完全集成,先进材料建模软件同时支持内置的标准和定义的晶片地图模式,提供快速代的2 d和3 d数据地图的测量参数。可选Cognex模式识别、盒对盒晶片处理和秒/宝石兼容性可以添加到进一步优化系统的测量功能和性能,以满足您的特定应用程序。gydF4y2Ba
Wafer-mappinggydF4y2Ba
硬件配置gydF4y2Ba
提供有针对性的、图案的薄片鉴定的最佳解决方案的研发和生产。gydF4y2Ba
Micro-spotgydF4y2Ba
parabolic-mirror-based测量gydF4y2Ba
提供一致的反射数据高度敏感的地方不均匀样本。gydF4y2Ba
高通量gydF4y2Ba
完全自动化操作gydF4y2Ba
可以更快,更高效的晶圆映射。gydF4y2Ba
了解更多关于这个乐器。gydF4y2Ba
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CaracteristicasgydF4y2Ba
测量功能gydF4y2Ba
可以同时测定:gydF4y2Ba
- 多个层厚度gydF4y2Ba
- 的折射指数(n(λ))gydF4y2Ba
- 灭绝(吸收)系数(k(λ))gydF4y2Ba
- 能量带隙(EgydF4y2BaggydF4y2Ba]gydF4y2Ba
- 成分(例如,%通用电气在锗硅gydF4y2BaxgydF4y2Ba在Ga % GagydF4y2BaxgydF4y2Ba在gydF4y2Ba1gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2BaxgydF4y2Ba,%艾尔半岛gydF4y2BaxgydF4y2Ba遗传算法gydF4y2Ba1 - xgydF4y2Ba,等等)。gydF4y2Ba
- 表面粗糙度gydF4y2Ba
- 组成部分,空隙率gydF4y2Ba
- 结晶度/无定形化(例如,文章,GeSbTe电影)gydF4y2Ba
- 电影梯度gydF4y2Ba
系统组件gydF4y2Ba
标准:gydF4y2Ba
- DUV-NIR光纤分光光度计gydF4y2Ba
- 反射光谱测量gydF4y2Ba
- 专利抛物面镜技术gydF4y2Ba
- 自动化与自动对焦gydF4y2Ba
- 自动晶片处理gydF4y2Ba
- 相机成像测量位置gydF4y2Ba
- 模式识别gydF4y2Ba
- 50微米光斑尺寸(标准)gydF4y2Ba
- 先进材料建模软件gydF4y2Ba
- 力量的广义物质模型与先进的全局优化算法gydF4y2Ba
可选:gydF4y2Ba
- 小的光斑大小(13µm)gydF4y2Ba
- 模式识别(Cognex)gydF4y2Ba
- 盒式磁带薄片处理gydF4y2Ba
- 秒/宝石兼容性gydF4y2Ba
AplicacoesgydF4y2Ba
典型应用领域gydF4y2Ba
几乎所有的半透明的薄膜厚度从低于100,约150µm可以测量精度高。典型的应用领域包括:gydF4y2Ba
- 半导体和绝缘体gydF4y2Ba
- 数据存储gydF4y2Ba
- 领导/ OLEDgydF4y2Ba
与灵活的硬件和软件,可以很容易地修改以满足独特的客户需求研发和生产环境。gydF4y2Ba
EspecificacoesgydF4y2Ba
技术规格gydF4y2Ba
| 膜厚度范围gydF4y2Ba | 3 nm 150µmgydF4y2Ba |
|---|---|
| 膜厚度精度gydF4y2Ba | 1000±1.5 NIST可追踪的标准氧化1µmgydF4y2Ba |
| 光谱范围gydF4y2Ba | 190 nm - 1700 nm (240 nm - 1000 nm标准)gydF4y2Ba |
| 测量光斑大小gydF4y2Ba | 13µm - 300µm(50µm标准)gydF4y2Ba |
| 晶片大小gydF4y2Ba | 50毫米- 300毫米(150毫米标准)gydF4y2Ba |
| 光谱分辨率gydF4y2Ba | 0.3 - 2海里gydF4y2Ba |
| 光源gydF4y2Ba | 监管deuterium-halogen灯(2000小时寿命)gydF4y2Ba |
| 探测器类型gydF4y2Ba | 2048像素索尼冷却滨松InGaAs CCD线阵CCD阵列/ 512像素阵列(NIR)gydF4y2Ba |
| 电脑gydF4y2Ba | 多核处理器操作系统Windows™10gydF4y2Ba |
| 测量时间gydF4y2Ba | < 1秒/站点(例如,氧化膜)gydF4y2Ba |
| 数据采集时间gydF4y2Ba | 0.2秒gydF4y2Ba |
性能规格gydF4y2Ba
| 电影(年代)gydF4y2Ba | 厚度gydF4y2Ba | 测量参数gydF4y2Ba | 精度(gydF4y2Ba1σgydF4y2Ba)gydF4y2Ba |
|---|---|---|---|
| 氧化/ SigydF4y2Ba | 200 - 500gydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.5gydF4y2Ba |
| 500 - 10000gydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.25gydF4y2Ba | |
| 1000年,一个gydF4y2Ba | t、ngydF4y2Ba | 0.25 / 0.001gydF4y2Ba | |
| 氮化硅/硅gydF4y2Ba | 200 - 10000gydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.25gydF4y2Ba |
| 光刻胶/ SigydF4y2Ba | 200 - 10000gydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.5gydF4y2Ba |
| 晶硅/氧化/ SigydF4y2Ba | 200 - 10000gydF4y2Ba | tgydF4y2Ba | 0.5gydF4y2Ba |