超高分辨率元素的映射Si-core-C-shell硅纳米颗粒

非常低的电子束电流测量和/或很短的时间需要SEM-based EDS分析梁的敏感的样品,如硅纳米颗粒。有必要时使用低电压降低electron-sample交互体积高空间分辨率是必需的。等常规测量EDS分析条件是具有挑战性的自诱导x射线收益率很低,因此很长时间测量的需求。结果是影响空间分辨率beam-induced样品漂移。

EDS测量与XFlash^®FlatQUAD克服这些局限性。独特的几何XFlash^®FlatQUAD使高检测灵敏度低的x射线产生的材料,给高计数率在低探测电流。雷竞技网页版因此,XFlash^®FlatQUAD探测器是理想的映射beam-sensitive材料即使地形。雷竞技网页版

这个例子展示了一个高分辨率的地图(像素间距2 nm !)硅纳米颗粒。完成了一个映射XFlash^®FlatQUAD在5 kV、520 pA和377年代采集时间。结果表明,目前的纳米粒子具有核心(绿色)和碳硅壳(红色)。(数据由:S。rad et al .,皇家化学学会的进步,2014,49577)