原子柱能谱分析

半导体的特性是由它的原子结构决定的，例如由点缺陷决定的。在尽可能高的分辨率下使用EDS映射可以定位和描述这些缺陷。

这个应用程序示例查看了M. W. Chu (M. W. Chu et. al.， Phys)提供和发表的数据。Rev. Lett. 104, 196101 (2010)，https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.104.196101)。研究了由InGaAs和InAlAs交替层组成的多层结构。仅使用3 ms的停留时间(总测量时间13 s)和33 pA的光束电流，就可以确定InGaAs结构的一个原子柱的In组成变化。In地图右下角的蓝色显示了In的缺失，这也导致了HAAD线配置文件中较低的InGa列。