碳和Oxygen硅量化
硅制造商控制碳和氧含量至关重要,因为它们既能对半导体产生有利作用,也能产生有害作用。
关于FT-IR量化碳和Oxygen内容
FTIR分析硅碳和Oxygen快速、敏感、免费销毁并因此成为普遍接受的Si质量控制方法布鲁克拥有数十年该领域经验,提供最强和最新解决方案
详解碳和Oxygen量化
基于研究序列分光计的解决方案
- 室温量化Si替代碳
- 室间Oxygen使用ASTM/SEMIM1188
- 推荐样本属性:厚度0.5-2.5毫米、双面擦除、单晶体或多晶体
- 低温分析提高敏感度
10ppba碳 - 可实现检测限值 < 400pp
基于CryosAS低温Si分析器求解
- 优化工业环境操作高敏感低温Si分析而无需低温液
- 全自动化测量周期和数据评价,包括生成报表
- 并用ASTM/SEMI标准量化碳、Oxygen和浅杂质
- 单晶度Si向下量化BP和浅色杂质
- 聚硅或单晶度Si量化到低ppba范围
- 聚硅或单晶度Si量化到低ppba范围
基于SibrickScan Si Ingot分析器的解决方案
- 专用线上系统对跨Oxygen进行全硅标定,与ASTM/SEMI1188标准连通
- 氧密度剖面沿硅柱纵向
- 视样本形状和属性而定,可实现区间Oxygen检测限值<2ppma
