浅杂质在硅
浅的杂质,如硼和磷,是电离杂质只需要很少能源。我们将解释如何使用傅立叶变换红外光谱分析。
利用傅立叶变换红外光谱分析浅杂质在Si(例如B、P…)
红外光谱分析是高度敏感和破坏免费检测浅杂质在硅因此被广泛接受的如果质量控制方法。力量有几十年的经验在这个领域并提供最强大的和最新的解决方案。
使用CryoSAS低温硅分析仪:
- 优化操作在工业环境高度敏感的低温Si分析不需要低温液体
- 完全自动化测量周期和数据评估根据ASTM /半标准,包括报告生成
- 量化III和V杂质组(B、P、Al、Ga,某人)单晶Si到低项目前期技术援助范围
- 同时量化碳和氧组成的。
使用一个红外光谱:
低温近红外光谱光致发光的量化浅杂质(如。B、P)根据ASTM /半MF1389单晶硅,检测范围小于1项目前期技术援助可以实现的。可用他液态低温恒温器或冷冻剂自由脉冲管低温恒温器。