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半导体的特性由其在原子水平上的结构决定,例如点缺陷。(1)、(2)、(3)、(3)、(3)、(3)
【翻译】朱伟(W. Chu)朱伟等人,物理学。Rev. Lett. 104, 196101(2010))。【中文译文】使用仅3单女士像素停留时间(13 s总测量时间)和33 pA探针电流,我们可以确定InGaAs结构的一个原子柱中在的成分变化。
这是一个非常好的例子。【中文译文】