SmartProber-P1
电动系统300毫米晶片应用在企业研发和失效分析
亮点
高perpendicular-to-plane
磁场
可配置的
设计和选择
整片覆盖
300毫米
0.1 -100年kΩμm2
RA范围
特点
SmartProber-P1
SmartProber-P1旨在在5.5 kOe下一代。
这种类型的各种配置的SmartProber是可用的。如果需要高的垂直领域,但只有小样本需要测量,自动晶片阶段可以使用更便宜的替换手工阶段。
SP-P1 - 6 koe磁铁,扶轮wafer-stage 300毫米
配置选项:
C:额外的平面磁铁模块2 koe的磁场强度
Y: 200毫米XY wafer-stage
M:手动wafer-stage为小样本
L: 10 koe磁铁
技术参数
可配置的设计来匹配您的应用程序
垂直的磁铁
- 0.6 t垂直的磁铁
- 1 t垂直的磁铁
平面磁铁之外
- ~ 0.2 t平面磁铁
阶段
- 为300 mm晶圆旋转舞台
- XY为200 mm晶圆——允许整片覆盖平面测量
- 手动为较小的晶片