FilmTek 2000M TSV
先进的计量系统，用于半导体封装应用中的高通量测量
亮点
2000年FilmTek m-tsv
FilmTek™2000M TSV计量系统为先进的半导体封装应用提供了无与伦比的速度和精度组合。该系统为各种封装工艺和相关结构的高通量测量提供了一流的测量性能和精度，包括通过硅通孔(tsv)、铜柱、凸点和再分配层(RDL)表征抗蚀剂厚度。
高产量TSV制造需要快速、高精度测量TSV蚀刻深度和深度均匀性。FilmTek 2000M TSV系统采用我们的专利光学方法，基于正入射反射法，使用户能够有效和精确地测量高纵横比TSV结构的蚀刻深度。该系统可以很容易地确定直径大于1 μ m的通孔结构的腐蚀深度，最大腐蚀深度为500 μ m。
此外，我们专利的低功率物镜光学设计使FilmTek 2000M TSV能够实现非常小的光斑尺寸-与目标通孔结构的直径相同的顺序-具有几乎准直的测量光束。例如，系统可以配置为10X物镜在y和x维度上分别给出5 μ m × 10 μ m的测量光斑大小。这种光学设计限制了收集光的角度光谱，并从高纵横比TSV或沟槽结构最大限度地提高了光谱反射的相干性。因此，该系统可以提供比使用高功率物镜的计量仪器更清晰的数据。
其他功能包括测量高度或深度，临界尺寸，以及微凸点，沟槽和各种其他结构和应用的薄膜厚度。
无与伦比的
准确性和速度
提供快速，高精度测量复杂的3D结构在~1秒每个点。
独特的
专利光学方法
能够在高纵横比TSV结构上进行高性能的蚀刻深度测量，包括直径小至1微米的通孔结构，蚀刻深度高达500微米。
高通量
测量能力
克服了测量电阻厚度的挑战，通过硅通孔(tsv)，铜柱，凸起，再分配层(RDL)和其他封装过程。
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特点
测量功能
能够确定:
- 直径大于1 μ m的通孔结构的TSV腐蚀深度，最大腐蚀深度为500 μ m。
- 高度或深度
- 临界尺寸
- 膜厚度
系统组件
标准:
- 测量高纵横比TSV结构
- 测量TSV蚀刻深度达500 μ m
- 测量直径小于1 μ m的TSV结构
- FilmTek专利技术
- 测量时间快(每点约1秒)
- TSV蚀刻深度，凹凸高度，临界尺寸，和薄膜厚度计量在一个单一的工具
- 盒式对盒式硅片处理
- Brooks或SCI自动化
- 300mm, FOUP，和SMIF兼容
- 秒/宝石
应用
典型应用范围
典型应用领域包括:
- TSV计量
- 先进半导体封装
灵活的软件，可以轻松修改，以满足研发和生产环境中独特的客户需求。
技术参数
技术规格
| 测量功能 |
TSV蚀刻深度、凹凸高度、临界尺寸和薄膜厚度 |
|---|---|
| 晶片处理 | 布鲁克斯或布鲁克 |
| 基板尺寸 | 200或300毫米 |
| 模式识别 | Cognex |
| CD精度(1σ) | < 0.2% |
| 腐蚀深度精度(1σ) | < 0.005% |
| 薄膜厚度范围 | 5 nm至350µm(标准为5 nm至150µm) |
| 薄膜厚度精度(1σ) | < 0.005% |
| 光源 | 卤素灯 |
| 探测器类型 | 2048像素索尼线阵CCD阵列 |
| 电脑 | 多核处理器，Windows™10操作系统 |
| 晶片的吞吐量 | > 60 WPH |
用FilmTek 2000M TSV和扫描电镜比较透蚀深度
| 直径(µm) | 蚀刻深度(µm) 扫描电镜 |
蚀刻深度(μm) FilmTek 2000M TSV |
|---|---|---|
| 5 | 44.5 | 44.3 |
| 10 | 55.5 | 55.5 |
| 15 | 62.0 | 61.8 |
| 20. | 66.5 | 66.8 |